半导体材料概述.docxVIP

半导体材料 半导体材料作为半导体产业链上游的重要环节，在芯片的生产制造过程中起到关键 性作用。根据芯片制造过程划分，半导体材料主要分为基体材料、制造材料和封装材料。 其中，基体材料主要用来制造硅晶圆或化合物半导体；制造材料主要是将硅晶圆或化合 物半导体加工成芯片所需的各类材料；封装材料则是将制得的芯片封装切割过程中所用 到的材料。 基体材料 根据芯片材质不同，基体材料主要分为硅晶圆和化合物半导体，其中硅晶圆的使用 范围最广，是集成电路制造过程中最为重要的原材料。 1、 硅晶圆 硅晶圆片全部采用单晶硅片，对硅料的纯度要求较高，一般要求硅片纯度在 99.9999999%以上，因此其制造壁垒较高。一般而言，硅片尺寸越大，硅片切割的边缘 损失就越小，每片晶圆能切割的芯片数量就越多，半导体生产效率越高，相应成本越低。 2、 化合物半导体 主要是指砰化铉(GaAs)、氮化铉(GaN)、碳化硅(SiC)等第二、三代半导体。 在化合物半导体中，碑化铉(GaAs)具备高功率密度、低能耗、抗高温、高发光效率、 抗辐射、击穿电压高等特性，广泛应用于射频、功率器件、微电子、光电子及国防军工 等领域。氮化铉(GaN)能够承载更高的能量密度，且可靠性更高，其在手机、卫星、 航天等通信领域，以及光电子、微电子、高温大功率器件和高频微波器件等非通信领域 具有广泛应用；碳化硅(SiC)具有高禁带宽度、高饱和电子漂移速度、高热导率等特性, 主要作为高功率半导体材料，通常应用于汽车及工业电力电子等领域，在大功率转换领 域应用较为广泛。 制造材料 1、光刻胶 光刻胶是光刻工艺的核心材料，其主要是通过紫外光、准分子激光、电子束、离子 束、X射线等光源的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀刻材料。按照下游应用场景 不同，光刻胶可分为半导体光刻胶、LCD光刻胶和PCB光刻胶。从组成成分来看，光刻 胶主要成分包括光刻胶树脂、感光剂、溶剂和添加剂等。 在光刻工艺中，光刻胶被涂抹在衬底上，光照或辐射通过掩膜板照射到衬底后，光 刻胶在显影溶液中的溶解度便发生变化，经溶液溶解可溶部分后，光刻胶层形成与掩膜 版完全相同的图形，再通过刻蚀在衬底上完成图形转移。根据下游应用的不同，衬底可 以为印刷电路板、面板和集成电路板。光刻工艺是半导体制造中的核心工艺。 2、 溅射靶材 靶材是制备电子薄膜材料的溅射工艺必不可少的原材料。溅射工艺主要利用离子源 产生的离子，在真空中加速聚集成高速度流的离子束流，轰击固体表面，使固体表面的 原子离开固体并沉积在基底表面，被轰击的固体称为溅射靶材。 溅射靶材主要应用于半导体、平板显示和太阳能电池等领域。半导体对靶材的金属 纯度和内部微观结构要求最高，通常要求达到99.9995% (5N5)以上，平板显示器、太 阳能电池的金属纯度要求相对较低，分别要求达到99.999% (5N)、99.995% (4N5)以 上。 3、 抛光材料 化学机械抛光(CMP)其工作原理是在一定压力及抛光液的存在下，被抛光的晶圆 片与抛光垫做相对运动，借助纳米磨料的机械研磨作用与各类化学试剂的化学作用之间 有机结合，使被抛光的晶圆表面达到高度平坦化、低表面粗糙度和低缺陷的要求。 抛光垫和抛光液是最主要的抛光材料，其中，抛光液是一种不含任何硫、磷、氯添 加剂的水溶性抛光剂，主要起到抛光、润滑、冷却的作用，而抛光垫主要作用是存储、 传输抛光液，对硅片提供一定压力并对其表面进行机械摩擦，是决定表面质量的重要辅 料。 4、电子特气 电子特种气体（简称电子特气”）是仅次于硅片的第二大半导体原材料，下游应用 广泛。电子特气是指用特殊工艺生产并在特定领域中应用的，在纯度、品种、性能等方 面有特殊要求的纯气、高纯气或由高纯单质气体配置的二元或多元混合气（具体产品如 下图所示）。电子特气是电子工业中的关键性化工材料，下游应用涵盖半导体、显示面 板、光纤光缆、光伏、新能源汽车、航空航天等多个领域。 5、 掩膜版 又称为光罩、光掩膜、光刻掩膜版，是半导体芯片光刻过程中的设计图形的载体， 通过光刻和刻蚀，实现图形到硅晶圆片上的转移。通常根据需求不同，选择不同的玻璃 基板。 6、 湿电子化学品 又称为超净高纯试剂，主要用于半导体制造过程中的各种高纯化学试剂。按照用途 可分为通用湿电子化学品和功能性湿电子化学品，其中通用湿电子化学品一般是指高纯 度的纯化学溶剂，如高纯去离子水、氢氟酸、硫酸、磷酸、硝酸等较为常见的试剂。功 能性湿电子化学品是指通过复配手段达到特殊功能、满足制造过程中特殊工艺需求的配 方类化学品，如显影液、剥离液、清洗液、刻蚀液等，经常使用在刻蚀、溅射等工艺环 节。在晶圆制造过程中，主要使用高纯化学溶剂去清洗颗粒、有机残留物、金属离子、 自然氧化层等污染物。 封装材料 1、粘结材料 采用粘结技术实现