光伏电池制造工艺及应用参考答案.docxVIP

一、填空题（28） 1、 我们公司主要使用的太阳能电池材料是 单晶硅。 2、 化学清洗中HCL的作用去除金属离子 。 3、 我们公司生产的单晶硅片是 N型还是P型硅_P型_。 4、 制绒的目的是：去除表面污垢和金属杂质、去除硅片表面的损伤层、增加 PN结的表面积、形 成绒面减少反射增强阳光的吸收。 5、 制绒工艺化学反应方程式 __SI+NAO田NA2SIO3+H2__ 6、 去PSG工艺化学总方程式__SIO2+H1 H2SIF6+H2O__ 7、 硅片在切割的过程中所造成的损伤层约 10um左右。 TOC \o 1-5 \h \z 8、 制绒工艺主要控制点 减薄量、反射率、外观、绒面成活率 。 9、 单晶制绒是利用晶体硅的 —100__、—111—不同晶向在—碱溶液—中进行—各向异性 腐蚀的特性。 10、 扩散过程中应用气体 N2、O、 _小n 。 11、 扩散在电池片上主要目的是形成一层 PN结 。 12、 进入扩散间必须经过二次风淋，穿戴好 洁净服 、静电鞋、口罩、 乳胶手套。 13、 扩散方块电阻不均匀度 __v 10% ，同一硅片扩散方块电阻不均匀度 _v 5% 。 14、 检测方块电阻用到 四探针 仪器、测试时扩散面向 上 。 15、 清洗石英器件所需要的化学品 _HF 、_HCL2 ,清洗时应戴好积 防毒面具，防酸服， 戴好乳胶手套、防酸长手套。 16、 POCl3在高温下（600C）分解的反应式为 __（5POCL3A600 3PCL5+ P205）,其中生成的 P2O5 在扩散温度下与硅反应式为 （2P2O5+5Si=5SiO2+4P），在有氧气的存在时, POCl3热分解的反应式 为（POCL3+O2=2 P205+6CL2） 17、 PECVD勺中文名称：等离子体增强化学气相沉积。 18、 PECVEDt膜方式有直接式、间接式两种。 19、 镀减反射膜需要用到 SIH4、NH3 N2、压缩空气四种气体。 20、 镀膜是以 膜厚、折射率两个参数为工艺依据,影响镀膜质量的有：管内特气流量比、压强、 功率、时间（或传输速度）、温度。 21、 PECVpg椭偏仪仪器来检测其质量的好坏。 22、 丝网印刷机的压缩空气压强要求 0.6 — 0.8MPa ，真空压强要求 -0.65 — -0.7MPa 24、 丝网印刷有 五 大要素组成，分别是 丝网、刮刀、浆料、工作台以及基片 25、 丝网印刷添加浆料必须遵守 少量多次 26、 烧结炉的作用是 烘干浆料，去除浆料中的有机成分；提高电池片的开路电压和填充因子，使 其具有电阻特性；通过高温烧结，使上下电极形成良好的欧姆接触；提高电池片的转换效率。 27、 烧结炉的流程有 上料区、 烘干区、（预、主）烧结区 、 回温区（冷却区）、 下料区 28、 烧结炉的关机步骤需要注意的是 炉温降到200度以下时 ， 才可以停止传送带。 29、测试条件要求光强 1000 土 50W/m2、温度25 土 20C 、光谱分布 AM1.5 。 二、选择题（12） 1、清洗间所涉及的化学品有（ ABCD ）。 A 氢氧化钠 B 氢氟酸 C 盐酸 D 硝酸 2、 磷硅玻璃是有（ BC ）组成。 磷 D SiF4 磷 D SiF4 A ） 短路电流 D 串联电阻 ） 3、 刻蚀工艺会影响电池片的哪项电性能？（ A 并联电阻 B 开路电压 C 4、 下列方程式中属于刻蚀工艺的是（ C A SiF4+2HF H2[SiF6] B CF4+SiO2 SiF4+CO2 f C CF4+SiO2 +O2 SiF4+CO2 f D SiO2+4HF SiF4+2H2O A三角形 B A 三角形 B 本反 在心-、々,rrTt ~i=n=T —1=1 金字塔形 C 圆形 D 6、 A 扩放洁净度要求是 10 万级 B 100 C 万级 O C 1 万级D 1000 万级 7、 8、 9、 电阻测试—C —点。 A 4 B 3 C 5 硅片扩散工艺结束后应抽取 A 5 B 6 C 3 POCl3是一种__D—夜体。 A 白色 B 红色 D 6 A D 4 C _片来检测。 浮白色 D 无色 5、单晶绒面呈（B ）形。 正方形 10、减反射膜的化学式是。（A ） 、CF4+Si+O2=SiF4+CO2+EH2OA 、CF4+Si+O2=SiF4+CO 2+EH2O C. Si+NaOH=Na2SiO 3+H2 D. H 11、电池片镀膜的厚度是利用光学中的 原理来减少反射。（C ） A、光程差。 B 、相长干涉 C、相消干涉 D 、光的衍射 12、电池片SiNx : H薄膜镀膜厚度和折射率一般控制在（ B ） A、65nm, 1.8 —1.9C. 85+5nm, 2.2---2.3 A、65nm,