量子点激光器及其应用研究.docVIP

量子点激光器及其应用研究 引言 早在80年代初，理论预言：量子点激光器的性能与量子阶激光器或量于线激光器相比，具有更低的阂值电流密度，更高的特征温度和更高的增益等优越特性[1,2]。这主要由于在量子点材料(又称零维材料)中，载流子在三个运动方向上受到限制，载流于态密度与能量关系为6函数，因而具有许多独特的物理性质，如量子效应、量子隧穿、非线性光学等，极大地改善了材料的性能。因此，不但在基础物理研究方面意义重大，而且在新型量子器件等方面显示出广阔的应用前景。目前，零维材料结构及其应用为国际上最前沿的研究领域之一，仍处于探索阶段。90年代初，利用MBE和MOCVD技术，通过Stranski—Krastanow(S—K)模式生长In(Ga)As/GaAs自组装量子点等零维半导体材料有了突破性的进展，生长出品格较完整，尺寸较均匀，且密度和发射率较高的InAs量子点，并于1994年制备出近红外波段InGaAs/GaAs量子点激光器[3]。目前国际上已有一些实验室制备了In(Gs)As/GnAs量子点激光器[4-10]。本文报道我们在原有的基础上[4]优化结构设计和生长工艺，制备出低阂值电流密度和大功率量子点激光器，并用光致发光(PL)、电致发光(EL)、原子力显微镜(AFM)和高分辨率透射电镜(TEM)等对InAs/GaAs量子点垂直耦合结构材料进行研究。 1 实验 我们采用Riber32P