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硅基锗材料外延生长及其应用 硅基锗材料外延生长及其应用 硅基锗材料外延生长及其应用 硅基锗资料的外延生长及其应用 纲要 :硅是最重要的半导体资料 ,在信息家产中起着不行代替的作用。 可是硅资料也有一些物理限制性 ,比方它是间接带隙半导体资料 ,它的载流子迁徙率低 ,因此硅资料的发光效率很低 ,器件速度比较慢。 在硅衬底上外延生长其余半导体资料 ,能够充足发挥各自的长处 ,填补硅资料的不足。本文介 绍了硅衬底上的锗资料外延生长技术进展 ,议论了该资料在微电子和光电子等方面的可能应用 ,要点介绍了它在硅基高速长波长光电探测器研制方面的应用。 要点词 :硅基 ;锗,外延 ;光电探测器 Epitaxy and application of Ge layer on Silicon substrate Huiwen Nie1, Buwen Cheng2 (1.Hunan Chemical Engineering Machinery School, Hunan Industrial Technology College 2.State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083) Abstract: Si