半导体制造工艺课件(powerpoint 47页).pptVIP

本节课主要内容 什么是图形转移技术？ 刻蚀的两个关键问题？ 选择性 方向性 光刻＋刻蚀 干法刻蚀 纯物理刻蚀 纯化学刻蚀 反应离子刻蚀RIE 增加方向性、选择性的方法CF4/O2 湿法腐蚀： Si——HNA各向同性 ——KOH各向异性 SiO2——HF MEMS * 第三十一页，编辑于星期五：二十二点 五十七分。 反应等离子体刻蚀技术与设备 一个反应等离子体刻蚀反应器包括一个真空腔、抽气泵系统、电源供应产生器、压力探测器、流量控制器与终点探测器等。 * 第三十二页，编辑于星期五：二十二点 五十七分。 1 10 100 1000 1 10 100 1000 低于高密度 ECR，ICP 低压整批RIE 单片晶片RIE 桶状等离 子体刻机 * 第三十三页，编辑于星期五：二十二点 五十七分。 半导体制造工艺基础 第五章 刻蚀原理 两大关键问题： 选择性 方向性：各向同性/各向异性 待刻材料的刻蚀速率 掩膜或下层材料的刻蚀速率 横向刻蚀速率 纵向刻蚀速率 图形转移过程演示 图形转移＝光刻＋刻蚀 * 第一页，编辑于星期五：二十二点 五十七分。 刻蚀速率R(etch rate) 单位时间刻蚀的薄膜厚度。对产率有较大影响 刻蚀均匀性(etch uniformity) 一个硅片或多个硅片或多批硅片上刻蚀速率的变化 选择性S(Selectivity) 不同材料之间的刻蚀速率比 各项异性度A(Anisotropy) 刻蚀的方向性A=0, 各项同性；A=1, 各项异性 掩膜层下刻蚀(Undercut) 横向单边的过腐蚀量 刻蚀的性能参数 * 第二页，编辑于星期五：二十二点 五十七分。 A＝0 0A1 A=1 Uniformity/non-uniformity 均匀性/非均匀性 Rhigh: 最大刻蚀速率 Rlow: 最小刻蚀速率 方向性： 过腐蚀（钻蚀）： 假定S＝?时 * 第三页，编辑于星期五：二十二点 五十七分。 刻蚀要求: 1. 得到想要的形状（斜面还是垂直图形） 2. 过腐蚀最小（一般要求过腐蚀10％，以保证整片刻蚀完全） 3. 选择性好 4. 均匀性和重复性好 5. 表面损伤小 6. 清洁、经济、安全 两类刻蚀方法： 湿法刻蚀——化学溶液中进行反应腐蚀，选择性好 干法刻蚀——气相化学腐蚀（选择性好）或物理腐蚀（方向性好），或二者兼而有之 * 第四页，编辑于星期五：二十二点 五十七分。 刻蚀过程包括三个步骤： 反应物质量输运（Mass transport）到要被刻蚀的表面 在反应物和要被刻蚀的膜表面之间的反应 反应产物从表面向外扩散的过程 * 第五页，编辑于星期五：二十二点 五十七分。 湿法刻蚀 反应产物必须溶于水或是气相 * 第六页，编辑于星期五：二十二点 五十七分。 BOE：buffered oxide etching 或BHF: buffered HF 加入NH4F缓冲液：弥补F和降低对胶的刻蚀 实际用 各 向 同 性 例1：SiO2采用HF腐蚀 例2：Si采用HNO3和HF腐蚀（HNA） 例3：Si3N4采用热磷酸腐蚀 * 第七页，编辑于星期五：二十二点 五十七分。 例4：Si采用KOH腐蚀 各向异性 Si + 2OH- + 4H2O ?Si(OH)2++ + 2H2 + 4OH- 硅湿法腐蚀由于晶向而产生的各向异性腐蚀 * 第八页，编辑于星期五：二十二点 五十七分。 原子密度：111 110 100 腐蚀速度：R(100)? 100 R(111) * 第九页，编辑于星期五：二十二点 五十七分。 HNA各向同性腐蚀 自终止 * 第十页，编辑于星期五：二十二点 五十七分。 利用Si的各向异性湿法腐蚀制作的MEMS（MicroElectroMechanical Systems）结构 * 第十一页，编辑于星期五：二十二点 五十七分。 湿法腐蚀的缺点 在大规模集成电路制造中，湿法腐蚀正被干法刻蚀所替代： （1）湿法腐蚀是各向同性，干法可以是各向异性 （2）干法腐蚀能达到高的分辨率，湿法腐蚀较差 （3）湿法腐蚀需大量的腐蚀性化学试剂，对人体和环境有害 （4）湿法腐蚀需大量的化学试剂去冲洗腐蚀剂剩余物，不经济 * 第十二页，编辑于星期五：二十二点 五十七分。 干法刻蚀 化学刻蚀（各项同性，选择性好） ——等离子体激活的化学反应(等离子体刻蚀) 物理刻蚀（各向异性，选择性差） ——高能离子的轰击 (溅射刻蚀) 离子增强刻蚀（各向异性，选择性较好） ——反应离子刻蚀 * 第十三页，编辑于星期五：二十二点 五十七分。 化学刻蚀