半导体制造工艺流程课件(powerpoint 105页).ppt

Above you are looking at a couple of views of the facilities on the west side of Fab One. Here you can see one of our 18.5 Meg/Ohm DI water systems and one of four 10,000 CFM air systems feeding this fab (left picture), as well as one of our waste air scrubber units (right picture). Both are inside the building for easier maintenance, longer life and better control. 第六十三页，编辑于星期五：二十二点 五十六分。 集成电路（Integrated Circuit, IC）：半导体IC，膜IC，混合IC 半导体IC：指用半导体工艺把电路中的有源器件、无源元件及互联布线等以相互不可分离的状态制作在半导体上，最后封装在一个管壳内，构成一个完整的、具有特定功能的电路。 半导体IC 双极IC MOSIC BiCMOS PMOS IC CMOS IC NMOS IC 第六十四页，编辑于星期五：二十二点 五十六分。 MOS IC及工艺 MOSFET — Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor . — 金属氧化物半导体场效应晶体管 Si 金属 氧化物（绝缘层、SiO2） 半导体 MOS(MIS)结构 第六十五页，编辑于星期五：二十二点 五十六分。 P－衬底 n+ n+ 漏 源 栅 栅氧化层 氧化层 沟道 G D S VT VGS ID VDS 0 反型层 沟道 源（Source）S 漏（Drain）D 栅（Gate）G 栅氧化层厚度： 50埃－1000埃（5nm－100nm） VT－阈值电压 电压控制 N沟MOS（NMOS） P型衬底，受主杂质； 栅上加正电压，表面吸引电子，反型，电子通道； 漏加正电压，电子从源区经N沟道到达漏区，器件开通。 第六十六页，编辑于星期五：二十二点 五十六分。 N－衬底 p+ p+ 漏 源 栅 栅氧化层 场氧化层 沟道 P沟MOS（PMOS） G D S VT VGS ID + - VDS 0 N型衬底，施主杂质，电子导电； 栅上加负电压，表面吸引空穴，反型，空穴通道； 漏加负电压，空穴从源区经P沟道到达漏区，器件开通。 第六十七页，编辑于星期五：二十二点 五十六分。 CMOS CMOS：Complementary Symmetry Metal Oxide Semiconductor 互补对称金属氧化物半导体－特点：低功耗 VSS VDD Vo Vi CMOS倒相器 PMOS NMOS I/O I/O VDD VSS C C CMOS传输门 第六十八页，编辑于星期五：二十二点 五十六分。 N-Si P+ P+ n+ n+ P-阱 D D Vo VG VSS S S VDD CMOS倒相器截面图 CMOS倒相器版图 第六十九页，编辑于星期五：二十二点 五十六分。 pwell active poly N+ implant P+ implant omicontact metal A NMOS Example 第七十页，编辑于星期五：二十二点 五十六分。 pwell Pwell Active Poly N+ implant P+ implant Omicontact Metal 第七十一页，编辑于星期五：二十二点 五十六分。 N－type Si SiO2 光刻胶 光 MASK Pwell 第七十二页，编辑于星期五：二十二点 五十六分。 N－type Si SiO2 光刻胶 光刻胶 MASK Pwell 第七十三页，编辑于星期五：二十二点 五十六分。 N－type Si SiO2 光刻胶 光刻胶 SiO2 第七十四页，编辑于星期五：二十二点 五十六分。 CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例 5。光III---N管场区光刻，N管场区注入，以提高场开启，减少闩锁效应及改善阱的接触。 光刻胶 N-Si P- B+ 第三十一页，编辑于星期五：二十二点 五十六分。 CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例 6。光III---N管场区光刻，刻出N管场区注入孔； N管场区注入。 N