哈尔滨工业大学－微电子工艺基础绪论（王静）(powerpoint 64页).pptVIP

第1章 绪论 一、微电子产业 4、微电子工艺的发展概况（1）平面工艺的诞生 ②生长结方法 半导体单晶是由掺有某种杂质（例如P型）的半导体熔液中生长出来的。 在生长过程中的某一时刻，突然改变熔融液的P/N型。 第三十一页，编辑于星期五：二十三点 二十五分。 第1章 绪论 一、微电子产业 4、微电子工艺的发展概况（1）平面工艺的诞生 ③扩散结和平面工艺***** 合金结的缺点： 不能准确控制pn结的位置。 生长结的缺点： 不适宜大批量生产。 扩散形成pn结 第三十二页，编辑于星期五：二十三点 二十五分。 第1章 绪论 一、微电子产业 4、微电子工艺的发展概况（1）平面工艺的诞生 ③扩散结和平面工艺***** A 扩散结的形成方式 与合金结相似点 表面表露在高浓度相反类型的杂质源之中 与合金结区别点 不发生相变，杂质靠固态扩散进入半导体晶体内部 B 扩散结的优点 扩散结结深能够精确控制。 第三十三页，编辑于星期五：二十三点 二十五分。 第1章 绪论 一、微电子产业 4、微电子工艺的发展概况（1）平面工艺的诞生 ③扩散结和平面工艺***** C 二氧化硅薄膜的优点 作为掩蔽膜，有效的掩蔽大多数杂质的扩散 提高半导体几何图形的控制精度 钝化半导体器件表面，提高了器件的稳定性。 第三十四页，编辑于星期五：二十三点 二十五分。 第1章 绪论 一、微电子产业 4、微电子工艺的发展概况（1）平面工艺的诞生 ③扩散结和平面工艺***** 平面工艺： 利用二氧化硅掩蔽膜，通过光刻出窗口控制几何图形进行选择性扩散形成pn结 平面工艺的优点：B2O3 B2O3 兼有固态扩散形成结和利用二氧化硅掩膜精确控制器件几何图形这两方面的优点。 第三十五页，编辑于星期五：二十三点 二十五分。 第1章 绪论 一、微电子产业 4、微电子工艺的发展概况（1）平面工艺的诞生 ③扩散结和平面工艺***** 应用平面工艺制作二极管的简要过程： 第三十六页，编辑于星期五：二十三点 二十五分。 第1章 绪论 一、微电子产业 4、微电子工艺的发展概况（1）平面工艺的诞生 ③扩散结和平面工艺***** 应用平面工艺制作二极管的简要过程（续1）： 第三十七页，编辑于星期五：二十三点 二十五分。 第1章 绪论 一、微电子产业 4、微电子工艺的发展概况（1）平面工艺的诞生 ③扩散结和平面工艺***** 应用平面工艺制作二极管的简要过程（续2）： 第三十八页，编辑于星期五：二十三点 二十五分。 第1章 绪论 一、微电子产业 4、微电子工艺的发展概况（1）平面工艺的诞生 第三十九页，编辑于星期五：二十三点 二十五分。 第1章 绪论 一、微电子产业 4、微电子工艺的发展概况 （1）平面工艺的诞生***** （2）平面工艺的发展** （3）工艺及产品趋势** （4）微电子工艺的特点***** 第四十页，编辑于星期五：二十三点 二十五分。 第1章 绪论 一、微电子产业 4、微电子工艺的发展概况（2）平面工艺的发展 从1959年至今的四十多年间工艺技术的发展，大多数采用平面工艺。 60年代，出现了外延技术，如n-Si/n+-Si，n-Si/p-Si，IC制作在外延层上。 70年代，离子注入技术，实现了浅结掺杂。 新工艺新技术不断出现，例如：等离子技术，电子束光刻，分子束外延等。（参照教材P10~P15） 第四十一页，编辑于星期五：二十三点 二十五分。 第1章 绪论 一、微电子产业 4、微电子工艺的发展概况 （1）平面工艺的诞生***** （2）平面工艺的发展** （3）工艺及产品趋势** （4）微电子工艺的特点***** 第四十二页，编辑于星期五：二十三点 二十五分。 第1章 绪论 一、微电子产业 4、微电子工艺的发展概况（3）工艺及产品趋势 ①特征图形尺寸的减小 特征尺寸/特征图形尺寸： 设计中的最小尺寸，通常用微米表示 特征尺寸和集成度是集成电路发展的两个共同标志。 第四十三页，编辑于星期五：二十三点 二十五分。 第1章 绪论 一、微电子产业 4、微电子工艺的发展概况（3）工艺及产品趋势 ①特征图形尺寸的减小 SIA（半导体工业协会）统计 2003年工艺为0.35/0.25um 2006年为0.18/0.13um 由于量子尺寸效应的约束，IC线宽极限尺寸为0.07um。 新的预测显示，2005年半导体销售将增长6.8%，达到2276亿美元，而2006年将增长7.9%，达到2455亿美元，2007年将增长10.5%，