X射线光电子能谱XPS.pptVIP

样品的预处理 Inst. Of Photoelectronics 5. 带有微弱磁性的样品 由于光电子带有负电荷，在微弱的磁场作用下，也可以发生 偏转。当样品具有磁性时，由样品表面出射的光电子就会在 磁场的作用下偏离接收角，最后不能到达分析器。得不到正 确的 XPS 谱。 此外，当样品的磁性很强时，还有可能使分析器头及样品架 磁化的危险。因此，绝对禁止带有磁性的样品进入分析室。 一般对于具有弱磁性的样品，可以通过退磁的方法去掉样品 的微弱磁性，然后就可以象正常样品一样分析。 样品的预处理 Inst. Of Photoelectronics 6. 离子束溅射技术 在 X 射线光电子能谱分析中，为了清洁被污染的固体表面， 常常利用离子枪发出的离子束对样品表面进行溅射剥离， 清洁表面。 总结 Inst. Of Photoelectronics XPS 表面分析 （＜ 10 ｎｍ） 定性分析 定量分析 深度分析 损伤深度分析 非损伤深度分析 元素成分分析 元素化学态分析 Inst. Of Photoelectronics 谢谢大家 ? 伴峰 Inst. Of Photoelectronics ? 光电子特征峰伴峰： (1) 振激 ( Shake up ) (2) 振离 ( Shake off ) (3) 能量损失 ( Energy loss ) (4) X 射线伴峰 (X-ray satellites ) (5) 多重分裂 (Multiplet splitting ) (6) 俄歇电子 (Auger electron ) 振激伴峰 Inst. Of Photoelectronics (1) 振激谱线 ( Shake up ） ----- 是一种与光电离过程同时发 生的激发过程。当原子的一个内层电子被 X 射线光电离而发 射时 , 由于原子的有效电荷的突然变化导致一个外层电子跃 迁到激发的束缚态。外层电子的跃迁导致发射光电子动能减 小 , 其结果是在谱图主峰低动能侧出现分立的伴峰 , 伴峰同主 峰之间的能量差等于带有一个内层空穴的离子的基态同它的 激发态之间的能量差。 通常震激谱比较弱，只有用高分辨的 XPS 谱仪才能测出。 振激 Inst. Of Photoelectronics 例如 Cu/CuO/Cu 2 O 系列化 合物，用通常的结合能位 移或俄歇参数来鉴别它们 是困难的。但是这三种化 合物中 Cu 的 2p 3/2 和 2p 1/2 电子谱线的震激伴峰却明 显不同，其中 Cu 和 Cu 2 O 没有 2 p 3/2 谱线的震激伴峰 而 CuO 却有明显的震激伴 峰。 振激 Inst. Of Photoelectronics ? 对于固体样品， shake up 峰通常会被能量损失峰掩盖。 ? 易出现 shake up 峰的情况： ※ 具有未充满的 d 、 f 轨道的过渡金属化合物和稀土化合物 ※ 具有不饱和侧链或不饱和骨架的高聚物 ※某些具有共轭 ? 电子体系的化合物 ? shake up 峰对化学研究提供的有用信息： ? 顺磁反磁性 ? 键的共价性和离子性 ? 几何构型 ? 自旋密度 ? 配合物中的电荷转移 ? 弛豫现象 振离 Inst. Of Photoelectronics (2) 振离谱线 ( Shake off ) ---- 是一种多重电离过程。当原 子的一个内层电子被 X 射线光电离而发射时 , 由于原子的有 效电荷的突然变化导致一个外层电子激发到连续区 ( 即电离 ) 。 其结果是在谱图主峰的低动能端出现平滑的连续谱 , 在连续 谱的高动能端有一陡限 , 此陡限同主峰之间的能量差等于带 有一个内层空穴离子基态的电离电位。 震离信号极弱而被淹没于背底之中，一般很难测出 。 能量损失峰 Inst. Of Photoelectronics (3) 能量损失峰 ( Energy loss ） ----- 是由于光电子在穿过样品 表面时同原子 ( 或分子 ) 之间发生非弹性碰撞损失能量后在谱 图上出现的伴峰。 体相等离子体激元震荡基频为 ω b ，其能量损失是量子化的 ( ?ω b