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第非平衡载流子会计学第1页/共38页§5-1非平衡载流子1．非平衡态和非平衡载流子产生和复合产生率Q ：单位时间和单位体积内所产生的电子-空穴对数复合率R：单位时间和单位体积内复合掉的电子-空穴对数非平衡载流子：差值⊿n＝n-n0，⊿p＝p-p0称为非平衡载流子。过剩载流子⊿n和欠缺的载流子⊿n2．非平衡少数载流子注入及附加电导第2页/共38页注入：外界作用使半导体中产生非平衡载流子的过程叫做非平衡载流子的注入。光注入： ⊿n= ⊿p附加电导率⊿σ： 小注入第3页/共38页测量附加电导率，可以计算出 △n, △p小注入：⊿σσ0 大注入对掺杂半导体，即使小注入，非平衡载流于浓度还比平衡时的少数载流子浓度多得多。因此，通常所说的非平衡载流子，一般指非平衡少数载流子。其浓度简称少子浓度。5-3．准费米能级 第4页/共38页热平衡半导体，在整个半导体中有统一的费米能级，统一的费米能级是热平衡状态的标志。非平衡状态半导体不再存在统一的费米能级。半导体系统处于一种准平衡态。n=n0+ △n5-3 准费米能级第5页/共38页导带和价带之间是不平衡的，表现在描述导带中电子分布的费米能级和描述价带中空穴分布的费米能级不相同。通常称它们为准费米能级。电子准费米能级EFn，空穴准费米能级EFp。非平衡状态下的载流子浓度可表示为5-3 准费米能级第6页/共38页非平衡载流子的浓度变化的相对值越大，准费米能级偏离平衡费米能级EF就越远。注入产生过剩载流子时， EFn向导带移动少子的费米能级移动更大。5-2 寿命第7页/共38页非平衡载流子的平均生存时间称为非平衡载流子的寿命，用符号τ表示。常称为少数载流子寿命。5-2非平衡载流子浓度--时间的关系第8页/共38页设有一块受均匀光照的半导体，稳定时，半导体中非平衡载流子的浓度为⊿n和⊿p，在t＝0时光照停止，单位时间内非平衡载流子浓度的减少应为-d⊿p(t)/dt，非平衡载流子的复合率(有时也称它为电子-空穴对的净复合率，即单位体积内净复合消失的电子-空穴对数)应为⊿p/τ，设t＝0时，⊿p(0)＝(⊿p)0，代入上式得C＝(⊿p) 05-2非平衡载流子寿命结论第9页/共38页结论1，非平衡载流子的复合与它们的寿命有关。τ的值愈大，表明非平衡载流子复合得愈慢； 2，τ就是光照停止后，非平衡载流子浓度衰减到原来数值的1/e所经历的时间。 3，平衡载流子的寿命与半导体中的缺陷以及深能级杂质的存在有着直接的关系，这些晶格不完整性的存在往往能促进非平衡载流子的复合，使寿命降低。 §5-4复合理论第10页/共38页直接复合：导带中的电子直接从导带跃迁到价带与空穴复合，使一对电子空穴消失的复合。间接复合：导带中的电子通过位于禁带中的能级的复合1.直接复合第11页/共38页以G0表示热平衡时的产生率，以R0表示热平衡时的复合率，显然在热平衡时有G0=R0 非平衡态稳态，即当产生与复合达到了新的动态平衡，有产生率G＝复合率R R＝rnp式中r称为复合系数，和温度有关。 热平衡时：R0＝rn0p0 G0＝rn0p0 当光照停止后，净复合率 U＝R-G = R-G01,直接复合少子寿命讨论第12页/共38页在小注入条件下，⊿pn0十p0 则在大注入条件下，⊿pn0十p0， 结论：1，在小注入条件下，当温度和渗杂一定时，寿命τ是一个常数。2，在大注入条件下，寿命与非平衡载流子浓度成反比，而与平衡载流子浓度无关。 2．间接复合第13页/共38页非平衡载流子通过禁带中的杂质和缺陷能级进行的复合叫做间接复合，对非平衡载流子的复合起促进作用的杂质和缺陷叫做复合中心。复合中心能级越接近禁带中央，促进复合的作用也就越强。甲：电子由导带落入空的复合中心能级，称为复合中心俘获电子的过程。乙：电子由复合中心能级落入价带与空穴复合，称为复合中心俘获空穴的过程。丙：电子由复合中心被激发到导带(甲的逆过程)，称为发射电子过程。丁：电子由价带被激发到空的复合中心能级(乙的逆过程)，称为发射空穴过程。第14页/共38页复合中心的浓度为Nt， 复合中心能级Et上的电子浓度为nt 甲：电子俘获率＝rnn(Nt-nt)（rn是电子俘获系数）丙：空穴俘获率＝rppnt （rp为空穴俘获系数）乙：电子产生率＝s-nt （s-称为电子激发几 率，温度一定，值就确定）丁：空穴产生率＝s＋(Nt-nt)（s ＋称为空穴激发几率）热平衡时：甲=丙；乙=丁非平衡稳态，复合中心能级Et上的电子数保持不变。稳定条件为： 甲十丁＝乙十丙非平衡载流子的复合率U，U＝甲-丙＝乙-丁得到非平衡载流子的复合率为 第15页/共38页当复合中心浓度很小时，复合中心积累电子的效应就可以忽略，则⊿n＝⊿p。 第16页/共38页间接复合的