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用霍尔元件测量磁场 理学院　物理实验中心　　 用霍尔元件测量磁场 1.霍尔效应的发现 Edwin Herbert Hall， 1855-1938 1879年，24岁的霍尔在撰写物理学博士论文期间对麦克斯韦的理论进行验证式实验时发现，位于磁场中的导体上出现了横向电势差，霍尔将他的这一发现写成一篇名为“论磁铁对电流的新作用”?的论文，发表在《美国数学杂志》上。这种“新作用”就是后来被人们称作的“霍尔效应”。 一. 研究背景 2.霍尔效应的应用 （1）测量半导体特性 （2）测量磁场 （3）磁流体发电 （4）电磁无损探伤 （5）霍尔传感器 3.发展 （1）量子霍耳效应（1985年的诺贝尔物理学奖） （2）分数量子霍耳效应（1998年的诺贝尔物理学奖） 一. 研究背景 1、了解霍尔效应法测量磁场的原理和方法。 2、学习用“异号法”消除副效应产生的系统误差。 3、测绘霍尔元件特性。 二. 实验目的 1.霍尔效应（N型半导体） 三. 实验原理 理论分析 磁场中运动载流子受洛伦兹力作用 电荷聚集形成电场 电场力与洛伦兹力达到平衡，形成稳定电压VH mA - B mV 三. 实验原理 又考虑到(n为载流子浓度) 即： KH=1/(ned)称为霍尔元件的灵敏度. IS为流过霍尔元件的电流，即其工作电流. —— 确定VH和IS即可求得磁感应强度的量值. 2.霍尔元件的附加效应 三. 实验