任务半导体基础知识.pptxVIP

1;;第2页/共71页;一、本征半导体;3、理解本征半导体的导电机理 温度为0K时，无自由电子，不导电 常温300K时，少数自由电子　本征激发　　;二、杂质半导体; (1)N型半导体; (2）P型半导体（空穴型半导体）;杂质半导体的示意表示法;b;影响很大 起导电作用的主要是多子。多子的数量主要与杂质浓度有关，近似认为多子与杂质浓度相等，受温度影响小。 少子浓度对温度敏感，影响半导体性能。;小结;;;1、PN结的形成;2、PN结的单向导电性;(2)PN结加反向电压（反向偏置）;PN 结变宽;结构示意图;PN结面积大，用 于低频大电流整流电路;二、重点掌握伏安特性;室温附近，温度每升高1°C，正向压降减小 2 - 2.5 mV，温度每升高10 °C ，反向电流增大约一倍。;三、了解主要参数;死区电压 = 0 导通电压 = 0;;（2）稳定电流IZ：稳压管工作在稳压状态时的参考电流，电流低于此值时稳压效果变坏。 IZmin;1.光电二极管;有正向电流流过时发光。电－＞光的能量转换器件。 电路中常用做指示或显示及光信息传送。;2021/11/16;PNP电路符号;1. 各电极电流分配关系及电流放大作用;2021/11/16;;;三、晶体管的共射特性曲线;1. 输入特性;2. 输出特性;IC(mA );IC(mA );输出特性三个区域的特点:;例1：测量三极管三个电极对地电位如图。试判断三极管的工作状态。;1.电流放大系数 共射直流放大系数;例：在UCE= 6 V时， 在 Q1 点IB=40?A, IC； 在 Q2 点IB=60 ?A, IC。;2. 极间反向电流 ICBO; 当集-射极之间的电压UCE 超过一定的数值时，三极管就会被击穿。;;; 场效应管(FET);一、结型场效应管JFET;P沟道结型场效应管;2、工作原理（以N沟道为例）;UDS=0时;;;;;（1）输出特性曲线： iD=f（uDS ）│UGS=常数;(a) 输出特性曲线 　　　 (b) 转移特性曲线; 　　IGFET(Insulated Gate Field Effect Transistor) 　　MOS(Metal-Oxide-Semiconductor); 取一块P型半导体作为衬底，用B表示。;;; 设uGS＞UGS(th)，增加uDS，沟道变化如下：;转移特性曲线;;夹断电压;三、场效应管的主要参数;②夹断电压UGS(off) 夹断电压是耗尽型FET的参数，当UGS=UGS(off) 时,漏极电流为零。;①低频跨导gm ：数值大小反映了uGS对iD控制作用的强弱。;①最大漏极电流 IDB：管子正常工作时漏极电流的上限值。;四、场效应管与晶体管的比较