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1 介电功能材料概要 第四章 介电陶瓷 二、电介质的介电损耗 电介质在外电场作用下，其内部会有发热现象，这说明有部分电能已转化为热能耗散掉，这种介质内的能量损耗称为介质损耗。常用tgδ表示，其值越大，能量损耗也越大。 δ称介电损耗角，其物理意义是指在交变电场下电位移D与电场强度E的相位差。 tgδ是所有应用于交变电场中电介质的重要的品质指标之一。介质损耗越小越好。 相对介电常数和介电损耗是电子陶瓷材料中的一个重要参数,不同用途的陶瓷,对它们有不同的要求. 第1页/共23页 第四章 介电陶瓷 三、介电陶瓷电容器 陶瓷电容器以其体积小、容量大、结构简单、优良的高频特性、品种繁多、价格低廉，便于批量生产而广泛应用于家用电器、通信设备、工业仪器等领域，是目前飞速发展的电子技术的基础之一。 用于制造陶瓷电容器的介电陶瓷，对材料有以下要求： （1）介电常数应尽可能高； （2）在高频、高温、高压及其他恶劣环境下，陶瓷电容器性能稳定可靠； （3）介质损耗要小； （4）比体积电阻率高于1010Ω.m(绝缘电阻率通常大于 1010Ω.m ),可保证在高温下工作; （5）具有较高的介电强度,陶瓷电容器在高压和高功率条件下,往往由于击穿而不能工作,因此必须提高电容器的耐压特性。 第2页/共23页 第四章 介电陶瓷 四、陶瓷电容器的分类和特征 （1）非铁电电容器陶瓷（Ⅰ型），其特点是高频损耗小，介电常数随温度变化而呈线性变化，又称热补偿电容器陶瓷； （2）铁电电容器陶瓷（Ⅱ型），其特点是介电常数随温度变化而呈非线性变化，而且介电常数很高，又称高介电常数陶瓷； （3）反铁电电容器陶瓷（Ⅲ型），其特点是储能密度高，储能释放充分，可用于储能电容器 （4）半导体电容器陶瓷（Ⅳ型） 第3页/共23页 第四章 介电陶瓷 五、介电陶瓷材料及应用 1、温度补偿电容器用介电陶瓷 主要用于高频振荡电路中作为补偿电容介质，在性能上要求具有稳定的电容温度系数和低的介质损耗。其性能见表3-2。 以CaTiO3为例：具有较高的介电常数和负温度系数，可以制成小型高容量的高频陶瓷电容器。常见的配方为： CaTiO3：99%，ZrO2：1%；烧结温度为1360℃±20℃ 工艺要求：采用氧化气氛烧结；不易采用湿磨；烧结温度和时间控制好，防止开裂。 第4页/共23页 第四章 介电陶瓷 除CaTiO3外,材料体系还有: MgTiO3, SrTiO3 MgTiO3-SrTiO3, CaTiO3-SrTiO3-Bi2O3-TiO2, CaTiO3-La2O3-TiO2, BaTiO3-Nd2O3-TiO2, CaTiO3-La2O3-Bi2O3TiO2, BaTiO3-SrTiO3-La2O3-TiO2, 第5页/共23页 第四章 介电陶瓷 2、热稳定型电容器陶瓷材料 分为高频热稳定电容器陶瓷和微波介电陶瓷。 （1）高频热稳定电容器陶瓷 其主要特点是介电常数的温度系数的绝对值很小，有的甚至接近于零。 如：MgTiO3瓷，,介电损耗低,温度系数的绝对值小,且原料丰富,成本低，但烧结温度较高（~1450℃），难以控制。 典型配方为：菱镁矿71%、TiO2 24%、苏州土3%、膨润土2%，CaF2 0.45% 第6页/共23页 第四章 介电陶瓷 （2）微波介电陶瓷 微波介电陶瓷主要用于制作微波电路元件，在微波滤波器中用作介质谐振器。评价微波介电陶瓷材料的主要参数是介电常数、品质因素和谐振频率温度系数。 要求具有以下性能：适当大小的介电常数，且值稳定；介电损耗小；有适当的介电常数温度系数；热膨胀系数小。 其研究体系有：MgO-CaO-TiO2 MgO-La2O3-TiO2 ZrO2-SnO2-TiO2 Ba（Zn1/3Ta2/3）O3-Ba（Zn1/3Nb2/3）O3 Ba（Ni1/3Ta2/3）O3-Ba（ZrZnNb）O3 第7页/共23页 第四章 介电陶瓷 微波陶瓷材料的研究进展： （1）新材料系统相图的研究，晶体结构和微波介电性能的关系的研究，化合物形成的机理及动力学研究； （2）材料掺杂改性技术的研究 （3）材料制备工艺技术的研究 （4）低烧材料的开发研究 （5）工程化生产技术研究 （6）器件结构的设计、性能的优化及测试技术的研究 （7）器件多层片式化的技术 第8页/共23页 第四章 介电陶瓷 （3）高介电常数电容器用陶瓷