第六章 光敏传感器.pptVIP

侧向光电效应 当半导体光电器件受光照不均匀时，载流子浓度梯度将会产生侧向光电效应。当光照部分吸收入射光子的能量产生电子-空穴对时，光照部分的载流子浓度比未受光照部分的载流子浓度大，就出现了载流子浓度梯度，因而载流子就要扩散。如果电子迁移率比空穴的大，那么空穴的扩散不明显，则电子向未被光照部分扩散，就造成光照射的部分带正电，未被光照射的部分带负电，光照部分与未被光照部分产生光电动势。基于该效应的光电器件如半导体光电位置敏感器件（PSD）。 6.4.1 光生伏特效应 图 6?29 pn结光电检测电路 图 6?30 pn结光电检测电路电流—电压特性曲线 6.4.2 光电池 原理与结构 图 6?31硅光电池示意图 6.4.2 光电池 应用实例 太阳电池电源 图 6?32 太阳能电池电源系统 6.4.2 光电池 光电池在光电检测和自动控制方面的应用 光电池在检测和控制方面应用中的几种基本电路 图 6?33 光电追踪电路 6.4.2 光电池 图 6?34 光电开关 6.4.2 光电池 图 6?35 光电池触发电路 6.4.2 光电池 图 6?36 光电池放大电路 6.4.2 光电池 图 6?37太阳电池对镉镍电池的充电电路 6.4 光敏二极管 光敏二极管的结构与一般二极管相似。 它装在透明玻璃外壳中, 其PN结装在管的顶部, 可以直接受到光照射光敏二极管在电路中一般是处于反向工作状态, 在没有光照射时, 反向电阻很大, 反向电流很小, 这反向电流称为暗电流。 当光照射在PN结上时, 光子打在PN结附近, 使PN结附近产生光生电子和光生空穴对。它们在PN结处的内电场作用下作定向运动, 形成光电流。光的照度越大, 光电流越大。 因此光敏二极管在不受光照射时, 处于截止状态, 受光照射时, 处于导通状态。 6.5.1 结构原理 光敏二极管 图 6?38典型光电二极管示意图 6.5.1 结构原理 雪崩光电二极管APD（Avalanche Photoelectric Diode）是利用PN结加上高的反向偏压时，发生的雪崩效应而获得电流增益的光电器件 雪崩效应示意图 6.5.1 结构原理 结光电二极管(PIN管) PIN管是光电二极管中的一种。它的结构特点是，在P型半导体和N型半导体之间夹着一层（相对）很厚的本征半导体。这样，PN结的内电场就基本上全集中于 I 层中，从而使PN结双电层的间距加宽，结电容变小。 由式τ = CjRL与 f = 1/2πτ知，Cj小，τ则小，频带将变宽。 PIN管结构示意图 6.5.2 光电二极管应用实例 光照度测量器 图 6?41光照度测量电路 (a)集电极输出电路 (b)发射极输出电路 6.5.2 光电二极管应用实例 心率测量仪 图 6?42手指光反射测量心率示意图 图 6?43手指光反射心率电路组成 6.5.2 光电二极管应用实例 光电式数字转速表 图 6?44光电式数字转速表工作原理 光敏晶体管与一般晶体管很相似, 具有两个PN结, 只是它的发射极一边做得很大, 以扩大光的照射面积。大多数光敏晶体管的基极无引出线, 当集电极加上相对于发射极为正的电压而不接基极时, 集电结就是反向偏压；当光照射在集电结上时, 就会在结附近产生电子-空穴对, 从而形成光电流, 相当于三极管的基极电流。由于基极电流的增加, 因此集电极电流是光生电流的β倍, 所以光敏晶体管有放大作用。  6.5 光敏晶体管 图 6?45NPN型光敏晶体管结构简图和基本电路 （a）结构简化模型；（b）基本电路 6.6.1 光敏晶体管和光敏二极管基本特性 光谱特性 图 6?46光敏二极管和晶体管的光谱特性曲线 光电子能否产生，取决于光电子的能量是否大于该物体的表面电子逸出功A0。不同的物质具有不同的逸出功，即每一个物体都有一个对应的光频阈值，称为红限频率或波长限。光线频率低于红限频率，光子能量不足以使物体内的电子逸出，因而小于红限频率的入射光，光强再大也不会产生光电子发射；反之，入射光频率高于红限频率，即使光线微弱，也会有光电子射出。 当入射光的频谱成分不变时，产生的光电流与光强成正比。即光强愈大，意味着入射光子数目越多，逸出的电子数也就越多。 光电子逸出物体表面具有初始动能mv02 /2 ，因此外光电效应器件（如光电管）即使没有加阳极电压，也会有光电子产生。为了使光电流为零，必须加负的截止电压，而且截止电压与入射光的频率成正比。 6.2.1 外光电效应及器件 外光电效用 图 6?4光电发射检测装置 图 6?5光电流随光强的变化曲线 6.2.1 外光电效应及器件 光电发射二极管 真空光电二极管 图 6?6真空光电二极