第八章 气体传感器.pptVIP

（2）TiO2、Nb2O5氧敏元件 TiO2是具有金红石结构的N型半导体，在常温下难以和空气中的氧发生化学吸附而不显示氧敏特性，在高温下才有明显的氧敏特性。 由于TiO2的电阻率随温度升高而下降的现象与元件吸附氧后电阻率变化现象混淆，造成测量误差。为此，通常在测试中使用一个用氧化钴一氧化镁二元系材料制作的其阻值与氧敏元件一致的温度补偿元件，消除温度变化所引起的误差（见图8-21） 。 ① 灵敏度特性 图8-21 温度补偿原理图 图8-22所示为TiO2氧敏元件的电阻值与空气过剩率?的关系。其中空气过剩率λ是空燃比（空气/燃料）与化学计量比的空燃比之比（理论燃烧时所 图8-22 TiO2氧敏元件400℃时电 阻（R）与空气过剩（?）的关系 需空气/燃料），说明空气是否充足。?等于1，说明TiO2中氧化还原达到了平衡态；?大于1，说明氧量充足；小于1则说明氧量不足。 ② 静态特性 图8-23 电阻、电压与空气过剩率的静态关系 图8-23所示为TiO2和Nb2O5氧敏元件的电阻、ZrO2元件的输出电压与空气过剩率特性。 ③ 动态响应特性 图8-24 动态响应特性 图8-24示出了输入阶梯形变化时TiO2等氧敏元件的输出波形。 （3）其他气敏元件 ① 多层薄膜气敏传感器 图8-25 多层薄膜传感器结构图 图8-25是采用多层膜的气敏传感器的结构示意图。第一层作为导电层，第二层作为敏感层。选择不同气敏材料作为第二层，则有可能实现对气体选择性检测。 ② 混合厚膜型气敏传感器 图8-26 混合厚膜气敏器件结构图 在瓷基片上，用丝网印刷技术制成混合型厚膜器件，结构如图8-26所示。有三种金属氧化物半导体敏感膜：测量CH4的SnO2膜、测CO的WO3膜和测C2H5OH的LaNiO3膜。 ③ 复合氧化物气敏传感器 复合氧化物（ZnSnO3、Zn2SnO4）是性能优良的气敏材料。采用化学共沉淀和固相反应相结合的方法，选择合适的锌、锡比，严格控制沉淀的PH值、洗涤温度及时问，才能制得相应组分的锌、锡复合氧化物ZnSnO3和Zn2SnO4。 8.3.2 半导体气敏二极管和MOSFET气体传感器 8.3.2.1 气敏二极管 1．金属/半导体结型二极管传感器 将金属与半导体结合做成整流二极管，其整流作用来源于金属和半导体功函数的差异，随着功函数因吸附气体而变化，其整流作用也随之发生变化。目前常用的这种传感器有Pd/CdS、Pd/TiO2、Pt/TiO2等。 （1）Pd-TiO2结型气敏传感器 Pd-TiO2结型气敏传感器的结构如图8-27所示，该器件在正向偏压下，电流随着气体浓度的增加而变大。可以从一定偏置电压下的电流或产生一定电流时的偏压来测定气体的浓度。其电流电压特性如图8-28所示，a、b、c、d、e、f、g分别为不同氢气浓度时的曲线。 （2）Au-TiO2结型气敏元件 如图8-29所示，Au-TiO2二极管在常温下选择性地对硅烷（SiH4）响应，而且灵敏度高。也有实验用金属酞青代替金属氧化物制成金属有机半导体二极管元件。 图8-27 Pd/TiO2结型气敏传感器 图8-28 Pd/TiO2结型气敏 传感器电压-电流曲线（25℃） 2．MOS二极管气敏元件 图8-29 Au-TiO2二极管传感器 图8-30 Pd-MOS二极管敏感元件 MOS二极管结构和等效电路如图8-30所示。它是利用MOS二极管的电容-电压特性的变化制成的MOS气敏元件。 3．肖特基二极管 肖特基二极管氢敏传感器在抛光过的钨基（2 cm × 2 cm）上沉积重硼P型金刚石膜，然后再镀上一层无杂质金刚石，在850℃下退火，最后在金刚石表面热蒸发金属钯形成钯电极。 4．异质结H2S传感器 将CuO和SnO2粉料均匀混合烧结制成元件，由于CuO是P型半导体，SnO2是N型半导体，CuO-SnO2元件是异