LED的生产工艺流程及其设备.pptVIP

? LED的生产工艺流程及设备（一） 2007.3 第一页，共三十三页。 ? 主要内容 LED生产工艺流程； LED衬底材料制作； LED外延制作； 第二页，共三十三页。 ? Led生产工艺流程 1、所用硅衬底在放入反应室前进行清洗。先用H2SO4∶H2O2 (3∶1) 溶液煮10min 左右,再用2%HF溶液腐蚀5min 左右,接着用去离子水清洗,然后用N2吹干。 2、衬底进入反应室后在H2气氛中于高温进行处理,以去除硅衬底表面氧化物。 3、然后温度降至800℃左右,生长厚约100埃的AlN缓冲层。 4、接着把温度升至1050℃生长200nm 偏离化学计量比(富镓生长条件)的GaN高温缓冲层。 5、再生长0.4μm厚未掺杂的GaN。 6、接着生长2μm厚掺Si的n型GaN,接下来在740℃生长5个周期的InGaN多量子阱有源层。 7、以及在990 ℃生长200nm 的p 型GaN。 第三页，共三十三页。 ? Led生产工艺流程 8、生长结束后， 样品置于N2中于760℃进行退火, 9、然后再对样品进行光刻和ICP刻蚀。Ni/Au和Ti/Al/ Ni/ Au分别用作p型GaN和n型GaN 的欧姆接触电极。 第四页，共三十三页。 ? LED生产工艺流程 LED透明电极 第五页，共三十三页。 ? LED生产工艺流程 蓝宝石衬底LED（正装、倒装） 第六页，共三十三页。 ? LED生产工艺流程 蓝宝石衬底紫外LED 第七页，共三十三页。 ? LED生产工艺流程 蓝宝石衬底白光LED 第八页，共三十三页。 ? LED生产工艺流程 所举例子只是一种LED制作工艺，不同的厂家都有自己独到的一套制作工艺，各厂家所使用的设备都可能不一样，各道工序的作业方式、化学配方等也不一样，甚至不同的厂家其各道制作工序都有可能是互相颠倒的。 但是万变不离其宗，其主要的思想都是一样的：外延片的生长（PN结的形成）---电极的制作（有金电极，铝电极，并形成欧姆接触）---封装。 第九页，共三十三页。 ? LED衬底材料制作 硅的纯化 长晶 切片 晶边磨圆 晶面研磨 晶片蚀刻 退火 晶片抛光 晶片清洗 检验/包装 第十页，共三十三页。 ? LED衬底材料制作--硅的纯化 硅石(Silica)焦炭、煤及木屑等原料混合置于石墨沉浸的加热还原炉中，并用1500-2000℃的高温加热，将氧化硅还原成硅，此时硅的纯度约为98％左右，在纯度上达不到芯片制作的要求，要进一步纯化： 1）盐酸化：将冶金级的多晶硅置于沸腾的反应器中，通往盐酸气以形成三氯化硅； 2）蒸馏：将上一步的低沸点产物（TCS）置于蒸馏塔中，将其他不纯物用部分蒸馏去除。 3）分解：将已蒸馏纯化的TCS置于化学气相沉淀（CVD）反应炉中，与氢气还原反应而析出于炉中电极上，再将析出的固态硅击碎成块状多晶硅。 第十一页，共三十三页。 ? LED衬底材料制作 西门子式工艺多晶硅 第十二页，共三十三页。 ? LED衬底材料制作--长晶 经过纯化得到的电子级硅虽然纯度很高，可达 99.9999 99999%，但是结晶方式杂乱，又称为多晶硅，必需重排成单晶结构，因此将电子级硅置入坩埚内加温融化，先将温度降低至一设定点，再以一块单晶硅为晶种，置入坩埚内，让融化的硅沾附在晶种上，再将晶种以边拉边旋转方式抽离坩埚，而沾附在晶种上的硅亦随之冷凝，形成与晶种相同排列的结晶。随着晶种的旋转上升，沾附的硅愈多，并且被拉引成表面粗糙的圆柱状结晶棒。拉引及旋转的速度愈慢则沾附的硅结晶时间愈久，结晶棒的直径愈大，反之则愈小。 第十三页，共三十三页。 ? LED衬底材料制作长晶过程注意事项 第十四页，共三十三页。 ? LED衬底材料制作--切片 切片是晶片成形的第一个步骤，也是相当关键的一个步骤。它决定了晶片的几个重要规格： 晶面的结晶方向、晶片的厚度、晶面斜度与曲度。 1）晶棒固定 2）结晶定位 切割 第十五页，共三十三页。 ? LED衬底材料制作晶边磨圆 晶边磨圆主要有以下几个目的： 1）防止晶片边缘碎裂 2）防止热应力集中 3）增加外延层、光刻胶层在晶片边缘的平坦度 第十六页，共三十三页。 ? LED衬底材料制作--研磨和蚀刻 晶面研磨 通以特定粒度及粘性的研磨液，加外研磨盘的公转和自转，达到均匀磨平晶片切片时留下的锯痕、损伤等不均匀表面。 晶片蚀刻 蚀刻的目的在于除去先前各步机械加工所造成的损伤，同时获得干净且光亮的表面，刻蚀化学作用可区分为酸性及碱性反应。 晶片研磨机 第十七页，共三十三页。 ? LED衬底材料制作--退火与抛光 退火 将晶片置于炉管中施以惰性气体加热30