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XPS ??XPS分析方法 定性分析-谱线的类型 Auger谱线：在XPS中，可以观察到KLL, LMM, MNN和NOO四个系列的Auger线。 因为Auger电子的动能是固定的，而X射线光电子的结合能是固定的，因此，可以通过改变激发源(如Al/Mg双阳极X射线源)的方法，观察峰位的变化与否而识别Augar电子峰和X射线光电子峰。 第六十三页，共九十四页。 XPS ??XPS分析方法 定性分析-谱线的类型 X射线的伴峰：X射线一般不是单一的特征X射线，而是还存在一些能量略高的小伴线，所以导致XPS中，除K?1,2所激发的主谱外，还有一些小的半峰。 第六十四页，共九十四页。 XPS ??XPS分析方法 定性分析-谱线的类型 Mg阳极X射线激发的C1s主峰及伴峰 第六十五页，共九十四页。 XPS ??XPS分析方法 定性分析-谱线的类型 X射线“鬼峰” ：有时，由于X射源的阳极可能不纯或被污染，则产生的X射线不纯。因非阳极材料X射线所激发出的光电子谱线被称为“鬼峰”。 Contaminating Radiation Anode Materials Mg Al O (K?) Cu (L?) Mg (K?) Al (K?) 728.7 323.9 - -233.0 961.7 556.9 233.0 - 第六十六页，共九十四页。 XPS ??X射线光电子谱仪的能量校准 荷电效应 用XPS测定绝缘体或半导体时，由于光电子的连续发射而得不到足够的电子补充，使得样品表面出现电子“亏损”，这种现象称为“荷电效应”。 荷电效应将使样品出现一稳定的表面电势VS，它对光电子逃离有束缚作用。 第三十一页，共九十四页。 XPS ??X射线光电子谱仪的能量校准 荷电效应 考虑荷电效应有： 其中ES=VS?e为荷电效应引起的能量位移，使得正常谱线向低动能端偏移，即所测结合能值偏高。 荷电效应还会使谱锋展宽、畸变，对分析结果产生一定的影响。 第三十二页，共九十四页。 XPS ??X射线光电子谱仪的能量校准 荷电效应 荷电效应的来源主要是样品的导电性能差。 荷电电势的大小同样品的厚度、X射线源的工作参数等因素有关。 实际工作中必须采取有效的措施解决荷电效应所导致的能量偏差。 第三十三页，共九十四页。 XPS ??X射线光电子谱仪的能量校准 荷电效应-中和法 制备超薄样品； 测试时用低能电子束中和试样表面的电荷，使Ec0.1eV， 这种方法一方面需要在设备上配置电子中和枪，另一方面荷电效应的消除要靠使用者的经验。 第三十四页，共九十四页。 XPS ??X射线光电子谱仪的能量校准 荷电效应 -内标法 在处理荷电效应的过程中，人们经常采用内标法。即在实验条件下，根据试样表面吸附或沉积元素谱线的结合能，测出表面荷电电势，然后确定其它元素的结合能。 第三十五页，共九十四页。 XPS ??X射线光电子谱仪的能量校准 荷电效应-内标法 在实际的工作中，一般选用(CH2)n中的　C1s峰，(CH2)n一般来自样品的制备处理及机械泵油的污染。也有人将金镀到样品表面一部分，利用Au4f7/2谱线修正。 这种方法的缺点是对溅射处理后的样品不适用。另外，金可能会与某些材料反应，公布的C1s谱线的结合能也有一定的差异。 第三十六页，共九十四页。 XPS ??X射线光电子谱仪的能量校准 荷电效应-内标法 有人提出向样品注入Ar作内标物有良好的效果。Ar具有极好的化学稳定性，适合于溅射后和深度剖面分析，且操作简便易行。 选用Ar2p3/2谱线对荷电能量位移进行校正的效果良好。这时，标准Ar2p3/2谱线的结合能?0.2 eV。 第三十七页，共九十四页。 XPS ??XPS中的化学位移 化学位移 由于原子所处的化学环境不同而引起的内层电子结合能的变化，在谱图上表现为谱峰的位移，这一现象称为化学位移。 化学位移的分析、测定，是XPS分析中的一项主要内容，是判定原子化合态的重要依据。 第三十八页，共九十四页。 XPS ??XPS中的化学位移 化学位移 三氟化乙酸乙脂中四个不同C原子的C1s谱线。 第三十九页，共九十四页。 XPS ??XPS中的化学位移 化学位移 High resolution Al (2p) spectrum of an aluminum surface. The aluminum metal and oxide peaks shown can be used to determine oxide thickness, in this case 3.7 nanometres. 第四十页，共九十四页。 XPS ??XPS中的化学位