静电感应晶体管.pptxVIP

1;3）原理：SIT为常开器件，即栅源电压为零时，SIT导通；当加上负栅源电压UGS时，栅源间PN结产生耗尽层。随着负偏压UGS的增加，其耗尽层加宽，漏源间导电沟道变窄。当UGS=UP(夹断电压)时，导电沟道被耗尽层所夹断，SIT关断。 SIT的漏极电流ID不但受栅极电压UGS控制，同时还受漏极电压UDS控制。 ;4-5其它新型电力电子器（SITH）;1、SITH的工作原理 1）结构：在SIT的结构基础上再增加一个P+层即形成SITH的元胞结构；三极：阳极A、阴极K、栅极G。; 栅极负压-UGK可控制阳极电流关断，已关断的 SITH，A-K间只有很小的漏电流存在。 SITH 为场控双极器件，其动态特性比GTO优越。其 通态电阻比SIT小、压降低、电流大，但因器件内有大量 的存储电荷， 所以其关断时间比SIT要长、工作频率要低。 ;4-5 其它新型电力电子器（MCT） ; 在应用方面，美国西屋公司采用MCT开发的10kW高频 串并联谐振DC-DC变流器，功率密度已达到。美 国正计划采用MCT组成功率变流设备，建设高达500KV 的高压直流输电HVDC设备。国内的东南大学采用SDB键 合特殊工艺在实验室制成了100mA/100V MCT样品；西 安电力电子技术研究所利用国外进口厚外延硅片也试制 出了9A/300V MCT 样品。;1、MCT的工作原理 1）结构：是晶闸管SCR和场效应管MOSFET复合而成的新型器件，其主导元件是SCR，控制元件是MOSFET其元胞有两种结构类型，N-MCT和P-MCT。 三个电极：栅极G、阳极A和阴极K。 ;P-MCT的等效电路;第4章;IGCT ：（Integrated Gate-Commutated Thyristor）也称GCT（Gate-Commutated Thyristor）。 ; 2、SIT的特性 （N沟道SIT）：当栅源电压UGS一定时，随着漏源电压UDS的增加，漏极电流ID也线性增加， 场控多子器件, 垂直导电结构,导电沟道短而宽,无电荷积累效应,其开关速度相当快,适应于高压,大电流、高频场合； SIT的漏极电流具有负温度系数,可避免因温度升高而引起的恶性循环；T0C ↑→ID↓ SIT的漏极电流通路上不存在PN结,一般不会发生热不稳定 性和二次击穿现象,其安全工作区范围较宽； 栅极驱动电路简单：关断SIT需加数十伏的负栅压-UGS；导通时，也可加5～6V的正栅偏压+UGS,以降低其通态压降。;4-5 缓冲电路; GTR开通过程：一方面ＣS经ＲS、ＬS和GTR回路放电减小了电流上升率di／dt ，另一方面负载电流经电感ＬS后受到了缓冲，避免了开通过程中GTR同时承受大电流和高电压的情形。;大功率开关器件GTR的缓冲电路。 将无感电容器C、快恢复二极管D和无感电阻R组成RCD缓冲吸收回路。 器件关断过程：电流经过C、D给无感电容器充电，使器件的UCE电压缓慢上升，有效抑制过电压的产生； 器件开通过程：C上的电荷再通过电阻R经器件放电，可加速器件的导通。 作用：①保护了器件，使之工作在安全工作区；②器件的开关损耗有一部分转移到了缓冲吸收回路的功率电阻R上，降低了器件的损耗，且降低器件的结温。从而可充分利用器件的电压和电流容量。