《半导体材料制备技术》培训课件：单晶硅制备.pptVIP

等径生长 晶体直径增大到所要求尺寸后，升高拉速，使晶体直径不再增大，称为收肩。 收肩后保持晶体生长直径不变，即为等径生长。 等径生长的晶体就是生产上的成品。 等径的条件：温度不变，拉速不变。 收尾（尖形） 晶体生长的进行，坩埚中熔硅不断减少，熔硅中杂质含量相对提高，为了电阻率均匀，降低晶体生长速率，采取稍升温，降拉速，使晶体直径逐渐变小，此过程称为收尾。[111]单晶位错向上攀移的长度约等于单晶的直径，[100]攀移长度稍短。 3.3.4 杂质浓度均匀性及其控制 半导体器件要求单晶电阻率很均匀，杂质分布的不均匀会造成电阻率在纵向和径向上不均匀。 纵向电阻率不均匀对器件参数的一致性不利。 径向电