《半导体材料制备技术》第三章：半导体材料制备技术培训课件.pptVIP

第三章 半导体材料制备技术 3.1 晶体生长技术 晶体生长通常指单晶锭的生长 单晶锭通常在特殊装置中通过熔体的定向缓慢冷却获得 从一端开始沿固定方向一点一点地逐渐凝固 按籽晶的晶体取向排列 3.1.1．布里奇曼法（Bridgman） 1、原理 Ge，GaAs 2、布里奇曼法的特点 装置和方法都比较简单，典型的正常凝固过程 晶锭截面形状与石英舟相同 导致舟壁对生长材料的严重玷污 存在高密度的晶格缺陷 （热膨胀系数不同，热应力） 水平布里奇曼法产生的热应力低于立式（熔体的开放面较大） 3、适用范围：硒化镉、碲化镉和硫化锌等II-VI族化合物-立式布里奇曼 砷化镓和磷化镓等在凝固时体积要