《半导体材料制备技术》培训课件：半导体薄膜的生长与淀积.pptVIP

Ⅴ族元素的化合物一般都采用砷烷(AsH3) 、磷烷(PH3) ,两者均系剧毒气体。因此研究毒性较小的有机砷来代替实属必要。 有机砷化合物的毒性,随分子中含H 原子数目减小而降低,然而使用毒性最低的TMAs ,将在淀积膜中引入大量C 沾污，因此,含有2个H原子的叔丁基砷化氢(TBAs) ,被认为是目前较好的AsH3 的取代物;而取代PH3 以叔丁基磷化氢(TBP) 最有希望。 V族源 MOCVD生长原理 用Ⅲ（Ⅱ）族元素的烷基化合物作为Ⅲ（Ⅱ）族元素的源，用Ⅴ（Ⅵ）族元素的氢化物或有机化合物作为Ⅴ（Ⅵ）元素的源。由于Ⅲ（Ⅱ）族元素的烷基化合物在室温附近是蒸气压较高