半导体材料培训课件：半导体材料的基本原理、性质、性能、制备、应用.pptVIP

砷化镓（galium arsenide）是重要的III-V族金属间化合物之一。这些化合物早在20世纪20年代就先后被合成出来，随后对它们的晶体结构进行了研究。直到1962年，这些化合物的半导体性质才得到较系统的研究，认识到这些是属于半导体材料的一个部类。后来对砷化镓进行了较多的研究，这是因为它的禁带宽度较宽，并有较高的迁移率的缘故。 砷化镓（GaAs）的晶体呈暗灰色，有玻璃光泽，结晶属于闪锌矿结构，晶格常数a = 0.56419nm 。在室温下对氧与水蒸气稳定。在大气中，加热到600oC以上开始氧化；在真空下，800℃以上开始分解。在常温下不溶于HCl、H2SO4，与浓HNO3发生反应，