《半导体材料》第5章：硅外延生长课件.pptVIP

5.2.4硅外延生长的基本原理和影响因素 采用不同的硅源其外延生长原理大致相同，以研究得较充分的siCl4为源的水平系统外延生长为例，生长时要考虑下列影响因素。 1．SiCl4浓度对生长速率的影响 2．温度对生长速率的影响 3．气流速度对生长速率的影响 4．衬底晶向的影响 详见课本107-109 5.3 硅外延层电阻率的控制 不同器件对外延层的电参数要求是不同的。为精确控制器件的电阻率，需要精确控制外延层中的杂质浓度和分布。 5-3-l外延层中的杂质及掺杂 1．外延层中的杂质 外延层中杂质的来源 外延层中杂质的来源是： （1）主掺杂质：用于控制外延层的电阻率。常用磷烷、砷