开关电源中的高频磁元件设计.pptVIP

参考文献 [1] 张占松，蔡宣三 .开关电源的原理与设计，电子工业出版社 第5章 磁性元件的特性与计算 [2] 赵修科. 开关电源中磁性元器件 * 当前1页，共32页，星期二。 磁元件在开关电源中的作用 当变压器使用 电气隔离、能量传递、根据变比不同，实现升、降压 电压、电流互感器 多脉波整流 当电感使用 储能、滤波 抑制电流尖峰，保护易受电流损坏的电子元器件 实现开关管的软开关 4.1 磁性材料的概述 * 当前2页，共32页，星期二。 4.1 磁性材料的概述 磁元件设计的重要意义 无标准商品化元件 ； 优化函数多重; 磁学基础差; 实践和经验。 磁性材料的磁化 物质的磁化需要外磁场； 被磁化的物质称为磁介质； 将磁性材料放到磁场中，磁感应强度显著增大，磁场使得磁性材料呈现磁性的现象称为磁性材料的磁化。 * 当前3页，共32页，星期二。 4.1 磁性材料的概述 磁性材料的磁化 铁磁材料之所以具有高导磁性，是因为在它们的内部具有一种特殊的物质结构—磁畴。 铁磁材料内部的磁畴排列杂乱无章，磁性相互抵消，因此对外不显示磁性。 （a）无外磁场情况 磁畴因受外磁场作用而顺着外磁场的方向发生归顺性重新排列，在内部形成一个很强的附加磁场。 （b）有外磁场情况 铁磁材料内部往往有相邻的几百个分子电流圈流向一致，因此在这些极小的区域内就形成了一个个天然的磁性区域—磁畴。 磁畴是怎么形成的？ * 当前4页，共32页，星期二。 4.1 磁性材料的概述 磁性材料的磁化 磁场是电流产生的，而电流总是被磁场所包围 磁场方向 电流方向 磁场方向 电流方向 右手定则 * 当前5页，共32页，星期二。 4.1 磁性材料的概述 磁性材料的磁化过程 oa段是线性段，可逆 ab段是上升段，不可逆 bc段是磁化曲线的膝部 C点以后是饱和段 J ——磁化强度； m0——真空磁导率； H——磁场强度。 曲线 A —— m0H B —— J C —— A+B，初始磁化曲线 ab段反映了铁磁材料的高导磁性，磁导率可达102~104，由软磁材料组成的磁路磁阻很小，在线圈中通入较小的电流即可获得较大的磁通。 c点以后说明铁磁材料具有磁饱和性。 B不会随H的增强而无限增强，H增大到一定值时，B不能继续增强。 * 当前6页，共32页，星期二。 4.1 磁性材料的概述 饱和磁滞回线 BS —— 饱和磁感应强度 Br —— 剩余磁感应强度 HC —— 矫顽力 将磁性材料沿磁化曲线OS 由完全去磁状态磁化到饱和Bs，如再将外磁场H 减小，B 值将不再按照原来的初始磁化曲线（OS）减小，而是更加缓慢地沿较高的B 减小。即使外磁场H=0 时，B≠0。这种磁化曲线与退磁曲线不重合特性称为磁化的不可逆性。 磁滞现象 磁化的不可逆性 磁感应强度B 的改变滞后于磁场强度H 的现象称为磁滞现象。 * 当前7页，共32页，星期二。 4.1 磁性材料的概述 磁性材料的基本特性 磁感应强度 B （磁通密度） 表征磁场中某一点的磁性强弱和方向的矢量 方向：左手定则 单位：特斯拉（ T）、 高斯（GS），1 GS =10-4 T * 当前8页，共32页，星期二。 4.1 磁性材料的概述 磁通 f 穿过垂直于B方向的面积S中的磁力线总和。 n B α dS S 或 单位：韦伯（1Wb=1VS（伏秒）） 麦克斯韦（Mx） 1 Wb =108 Mx * 当前9页，共32页，星期二。 4.1 磁性材料的概述 磁场强度 H 在任何磁介质中，磁场中某点的磁感应强度B与同一点的磁导率μ的比值称为该点的磁场强度H。 单位：安培/米 （ A/m）、奥斯特 （ Oe） 1 Oe =103/4π（ A/m） * 当前10页，共32页，星期二。 4.1 磁性材料的概述 磁导率 m 表征磁场中磁性能的物理量，可用来衡量磁介质导磁能力。磁导率μ在磁介质中不是常数。 （1）真空磁导率 m0 （2）初始磁导率mi 是磁性材料的初始磁化曲线始端磁导率的极限值，即 * 当前11页，共32页，星期二。 4.1 磁性材料的概述 （3）有效磁导率mr 在闭合磁路中，或多或多或少地存在着气隙，若气隙很小可以忽略，则可以用有效磁导率来表征磁芯的导磁能力。 L —— 线圈的自感量（mH） N——线圈匝数 Ae ——磁芯截面积（mm2） l ——磁路长度(mm) （4）最大磁导率mm 磁导率中的最大值 （5）动态磁导率mm 在磁化曲线上各点切线的斜率，表示该点附近磁感应强度随磁