- 1、本文档共5页,可阅读全部内容。
- 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
NP2307MR
20VP-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description Schematicdiagram
TheNP2307MRusesadvancedtrenchtechnology
to provide excellent RDS(ON), low gate charge and
operation with gate voltages as low as 1.8V. This
device is suitable for use as a load switch or in PWM
applications.
GeneralFeatures
V =-20V,I =-6A
DS D
R (Typ.) 19 mΩ @V =-4.5V Markingandpinassignment
DS(ON) GS
R (Typ.) 24.9mΩ @V =-2.5V
DS(ON) GS
Highpowerandcurrenthandingcapability
Leadfreeproductisacquired
Surfacemountpackage
Application
PWMapplications
Loadswitch
Package HF Pb
SOT-23-3L
OrderingInformation
PartNumber StorageTemperature Package DevicesPerReel
NP2307MR-G -55°Cto+150°C SOT-23-3L 3000
AbsoluteMaximumRatings(TA=25℃ unlessotherwisenoted)
parameter symbol limit unit
Drain-sourcevoltage VDS -20 V
Gate-sourcevoltage VGS ±12 V
TC=25°C -6
ContinuousDrainCurrent ID A
TC=70°C -4
PulsedDrainCurrentC IDP -24 A
TC=25°C 1.4
powerdissipation B PD W
您可能关注的文档
- NP2302dvr_E上海南麟电子.pdf
- NP2302fvr_E上海南麟电子.pdf
- NP2302FVR-J_E上海南麟电子.pdf
- NP2302FVR-YB_E上海南麟电子.pdf
- NP2305MR上海南麟电子.pdf
- NP2307DR_E上海南麟电子.pdf
- NP2307SR_E上海南麟电子.pdf
- NP2309EMR_E上海南麟电子.pdf
- NP2309EFR_E上海南麟电子.pdf
- NP2312mr_E上海南麟电子.pdf
- 5.3.1函数的单调性(教学课件)--高中数学人教A版(2019)选择性必修第二册.pptx
- 部编版道德与法治2024三年级上册 《科技提升国力》PPT课件.pptx
- 2.7.2 抛物线的几何性质(教学课件)-高中数学人教B版(2019)选择性必修第一册.pptx
- 人教部编统编版小学六年级上册道德与法治9 知法守法 依法维权(第一课时)课件.pptx
- 三年级上册品德道德与法治《学习伴我成长》.pptx
- 部编版小学道德与法治六年级上册6 人大代表为人民 课件.pptx
- 部编版小学道德与法治六年级上册1感受生活中的法律第一课时课件.pptx
- 2.5.2圆与圆的位置关系(教学课件)-高中数学人教A版(2019)选择性必修第一册.pptx
- 2.5.1直线与圆的位置关系-(教学课件)--高中数学人教A版(2019)选择性必修第一册.pptx
- 14.1.1 同底数幂的乘法(教学课件)-初中数学人教版八年级上册.pptx
文档评论(0)