NP2307SR_E上海南麟电子.pdf

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2022-05-14 发布于广东
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NP2307SR 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description Schematic diagram The NP2307SR uses advanced trench technology D to provide excellent RDS(ON) , low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM G applications. General Features S  V DS =-20V，ID =-9A Marking and pin assignment RDS(ON) (Typ.)=22mΩ @VGS =-2.5V RDS(ON) (Typ.)=17mΩ @VGS =-4.5V SOP-8  High power and current handing capability Top View Bottom View  Lead free product is acquired D D  Surface mount package D 7 0 3 D 2 X P X N X Y Application X Y Y Y  PWM applications G S  Load switch S