半导体器件基础：7-1场效应晶体管-MOSFET.pdfVIP

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2022-05-16 发布于安徽
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半导体器件基础：7-1场效应晶体管-MOSFET.pdf

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2014/4/9 半导体器件基础半导体器件基础第三部分场效应晶体管一、MOSFET简介（1）基本概况第七章： OS 第七章：MOSFET 晶体管的分类：一、MOSFET简介双极型晶体管（少子与多子参与导电）二、MOS电容单极型晶体管（电流由多数载流子输运）。三、MOSFET定性分析 硅平面工艺和外延技术的发展硅平面工艺和外延技术的发展，，实现了对器件尺寸的实现了对器件尺寸的四、MOSFET定量分析较精确的控制。 对硅—二氧化硅界面特性的研究及表面态密度的控制，使场效应管得到了显著的发展。南京大学电子科学与工程学院南京大学电子科学与工程学院半导体器件基础半导体器件基础 MOSFET与BJT 器件比较电压控制器件(MOSFET) 利用加在栅极与源极之间的电压来控制输出电流。饱和区工作电流IDSS会随VGS而改变。   电流控制器件(BJT) 利用基极电流控制集电极电流。南京大学电子科学与工程学院南京大学电子科学与工程学院 1