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第四章
半导体的导电性
内 容
1、载流子的漂移运动 ;
2、载流子的散射 ;
3、迁移率与杂质浓度和温度的关系 ;
4、电阻率及其与杂质浓度和温度的关系 ;
5、玻尔兹曼方程 ,电导率的统计理论;
5、玻尔兹曼方程 ,电导率的统计理论;
6、强电场下的效应 ,热载流子;
7、多能谷散射、耿氏效应
补充 ;霍尔效应
本章主要内容
载流子在外加电场作用下的漂移运动
半导体的迁移率、电导率和电阻率随温度和杂质浓度的
变化规律
迁移率的本质 散射
4.1 载流子的漂移运动 迁移率
1、欧姆定律
对于金属 , 电流I = V(电压 )/R(电阻)
V-I关系是直线
对于半导体 ,流过不同截面的电流强度不一定相同,“即
电流分布不均匀 ,而欧姆定律不能说明材料内部各处电流的
分布情况。
电流密度 :通过垂直于电流方向的单位面积的电流
2 2
J = ∆I/∆S 单位 : A/cm 或 A/m
若在如图所示的半导体两
段加上电压V,
则电场 E=V/l
电流密度J=I/S=V/RS
V
有: J= = E/ρ
ρl/S •S
欧姆定律微分形式 :
上式把通过导体中某一点的电流密度和该处的电
导率及电场强度直接联系了起来。
2、漂移速度和迁移率
电子在电场力作用下的定向运动称为漂移运动 ;定向运动
的速度称为漂移速度。
假设
vd代表电子的平均漂移速
度
则:
_
I = − nq v × 1× S
d
I _
J = = − nq vd
S
3、半导体的电导率和迁移率
实验发现 :在电场强度不太大的情况下,半导体中的载
流子在电场作用下的运动仍遵守欧姆定律。
• 半导体中载流子有两种 :
电子和空穴
存在电子和空穴的漂移
运动 ,运动方向相反
• 电子和空穴漂移运动
所形成的电流均沿电场
方向
故: 半导体导电 = 电子导电 + 空穴导电
J
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