半导体物理学：第5章 非平衡载流子.pdfVIP

第五章 第五章 非平衡载流子 非平衡载流子 一、非平衡载流子的注入和复合 半导体的热平衡状态是相对的 ，有条件的。 如对半导体施以外界作用 ，破坏了热平衡条件，则半导体 处于非平衡状态 ，其载流子浓度也不是n 、p ，可以比它 o o 们多出一部分。比平衡态多出的这部分载流子称为非平衡 载流子 ，有时也称为过剩载流子。 ∆n 外界作用可以是光照 ，也可 n0 以是电注入等 例：光照情况 ， hν ≥ E g 光照 σ = σo +∆σ ∆σ = q(µ + µ ) ∆n p0 n p ∆p ∆n: 过剩载流子/非平衡载流子浓度 ∆n = ∆p 一般情况下 ，注入的非平衡载流子浓度比平衡时的多数载 流子浓度小得多。对n型半导体 ，有：∆nn , ∆p n ,满 o o 足这个条件的注入称为小注入。 15 3 4 3 例：1Ωcm n-Si, n =N =5.5x10 /cm , p =3.1x10 /cm o D o 光照下 ，小注入 ∆n = ∆p = 1010/cm3 ∆nn , ∆pp o o 可见 ，即使在小注入条件下，非平衡少数载流子浓度还是 比平衡少数载流子浓度大得多 ，它的影响就显得十分重要，而 相对来说 ，非平衡多数载流子的影响可以忽略。故此 ，通常说 的非平衡载流子都是指非平衡少数载流子。 当产生非平衡载流子的外界作用撤除后 ，注入的非平衡少 数载流子逐渐消失 半导体恢复到平衡态 非平衡载 流子的复合 2、非平衡载流子的寿命 实验证明 ，当产生非平衡载 流子的外部作用撤除后 ，产生的非 平衡载流子并不能一直存在下去 ， 它们要逐步消失。最后 ，载流子浓 度恢复到平衡时的值。也就是说 ， 原来激发到导带的电子又回到价 带，电子和空穴又成对地消失了。 这种在产生非平衡载流子的外部作 用撤除后 ，由于半导体的内部作用 使过剩载流子消失 ，系统从非平衡 态恢复到平衡态的过程称为非平衡 载流子的复合。 ∆p 通过研究光照停止后 ， 非平衡载流子浓度随时间变化 ∆p 的规律。人们发现 ：非平衡载 0 流子并不是立刻全部消失 ，而 ∆p /e 是有一个过程