半导体物理学：第3章 半导体中载流子的统计分布2.pdfVIP

四、杂质半导体的载流子浓度 1、半导体的分类 元素半导体 以材料分 化合物半导体 （III-V, II-VI, 多元) 直接带隙半导体 以能带结构分 间接带隙半导体 本征半导体 以纯度分 杂质半导体 轻掺杂半导体(no interaction between 以杂质浓度分 impurity atoms, Boltzemann Statistics) 重掺杂半导体(impurity band, Fermi Statistics) （单）晶态半导体 以晶体结构分 多晶半导体 非晶半导体 2、杂质能级被电子 （或空穴）占据的几率 • 单电离杂质 • 浅能级杂质III、V族 • 轻掺杂 N : 施主杂质浓度 已电离n +; 未电离n ； D D D nD+ + nD = ND N : 受主杂质浓度 已电离p -; 未电离p ； A A A p - + p = N A A A 能带中的一个能级 ：可以容纳自旋相反的两个电子； 杂质能级 ：只能容纳一个电子，自旋任意； 离化施主能级只能接受一个电子 因此 ：电子占据施主能级的几率： gD =2, 空穴占据受主能级的几率 ： gA = 4 当: E -E k T, f (E) ~ 0, n ~0, n + ~N D F o D D D D 当: E -E =0, f (E) = 2/3, n =2N /3, n + ~N /3 D F D D D D D 当: E -E k T, f (E) ~ 1, n ~ N , n + ~0 F D o D D D D 1、施主能级上的电子浓度 ： 2、受主能级上的空穴浓度 ： 3、电离施主浓度 ： 4、电离受主浓度 ： 3、电中性条件 半导体中 正电荷数 = 负电荷数 本征半导体 ：