半导体器件基础:11-4 光电器件.pdfVIP

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6/17/14 半导体器件基础 半导体器件基础 2. 光电器件的基本原理 发光二极管及激光二极管:电能转变为光能。 光探测器及太阳能电池:光能(信号)转变为 电能(信号)。 南京大学 电子科学与工程学院 南京大学 电子科学与工程学院 半导体器件基础 半导体器件基础 (一)基本概念 本征跃迁及非本征跃迁 光的吸收 (光探测器及太阳能电池) : 南京大学 电子科学与工程学院 南京大学 电子科学与工程学院 1 6/17/14 半导体器件基础 半导体器件基础 辐射跃迁与⾮辐射跃迁 自发辐射 (LED )及受激辐射 (LD ) 光的吸收率= ⾃发辐射率 +受激辐射率 B n ρ(hν ) 12 1 12 = A n + B n ρ(hν ) 21 2 21 2 12 较高的光子能密度(共振腔)。 高能级态上电子密度高于低能 态(粒子数翻转)。 南京大学

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