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6/17/14
半导体器件基础 半导体器件基础
2. 光电器件的基本原理
发光二极管及激光二极管:电能转变为光能。
光探测器及太阳能电池:光能(信号)转变为
电能(信号)。
南京大学 电子科学与工程学院 南京大学 电子科学与工程学院
半导体器件基础 半导体器件基础
(一)基本概念 本征跃迁及非本征跃迁
光的吸收 (光探测器及太阳能电池) :
南京大学 电子科学与工程学院 南京大学 电子科学与工程学院
1
6/17/14
半导体器件基础 半导体器件基础
辐射跃迁与⾮辐射跃迁 自发辐射 (LED )及受激辐射 (LD )
光的吸收率= ⾃发辐射率
+受激辐射率
B n ρ(hν )
12 1 12
= A n + B n ρ(hν )
21 2 21 2 12
较高的光子能密度(共振腔)。
高能级态上电子密度高于低能
态(粒子数翻转)。
南京大学
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