半导体物理学：第2章 半导体中杂质和缺陷能级.pdfVIP

第二章 半导体中杂质和缺陷能级 上一章 ，在讨论晶体时，将其看成具有理想的周期性结 构。在实际的半导体材料晶格中 ，总是存在着偏离理想情况 的各种复杂现象。 1、原子并不是静止在周期性的晶格格点位置 ，而是 在其平衡位置附近振动 ； 2、半导体材料含有杂质 ，即存在与组成半导体材料的元素 不同的其它化学元素的原子 ； 3、实际的半导体晶格结构并不是完整无缺的 ，而是 存在各种形式的缺陷 ； 点缺陷 ：如空位，间隙原子 线缺陷 ：如位错 面缺陷 ：如层错等 实践表明 ：极微量的杂质和缺陷能对半导体材料 的物理和化学性质产生决定性的影响 ，也严重影 响着半导体器件的质量。 例如 ： 半导体的导电性可以通过掺入适量的杂质来控 制，这是半导体能够制成各种器件的重要原因。 如果对本征半导体硅 （Si）掺入百万分之一的杂 质，其电阻率就会从105欧姆•厘米下降到只有几 个欧姆•厘米。 为什么存在于半导体中的杂质和缺陷会起重要 的作用 ？ 由于杂质和缺陷的存在 ，会使严格按周期性排列的原子 所产生的周期性势场受到破坏 ，有可能在禁带中引入允许 电子具有的能量状态 （即能级）。正是由于杂质和缺陷能 够在禁带中引入能级 ，才使它们对半导体的性质产生决定 性的影响。 由于杂质和缺陷对半导体的重大影响 ，因而本章将 介绍元素半导体硅和锗在禁带中引入杂质和缺陷的实验 观测结果 ，但不涉及到复杂的杂质和缺陷理论。 一、硅、锗晶体中的杂质能级 1、替位式杂质和间隙式杂质 半导体中的杂质 ，主要来源于制备半导体的原材 料纯度不够 ；半导体单晶制备过程中及器件制造过 程中的沾污 ， 或是为了控制半导体性质而人为掺入某种化学元素 的原子。 杂质进入半导体后分布在什么位置呢 ？ 杂质原子进入半导体硅中 ，只可能以两种方式存在。 一种方式是杂 间隙式杂质 质原子位于晶格原 子间的间隙位置 ， 称为间隙式杂质 ； 另一种方式是 杂质原子取代晶格 原 子 而 位 于 晶 格 Si 处，称为替位式杂 替位式杂质 质。 间隙式杂质一般比较小 ；而形成替位式杂质时，要求替位式 杂质原子的大小与被取代的晶格原子的大小比较接近。如； III、V族元素在Si晶体中都是替位式杂质。 2、施主杂质、施主能级 下面讨论硅中掺磷(P)的情况 ： 当一个磷原子占据了硅原子的 位置 ，由于磷原子有五个价电 子，其中四个与周围四个硅原 子形成共价键 ，还剩余一个价 + 电子。同时 ，磷原子所在处也 多余一个正电荷。所以磷原子