半导体器件基础：7-3 短沟道效应-MOSFET.pdfVIP

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2022-05-16 发布于安徽
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半导体器件基础：7-3 短沟道效应-MOSFET.pdf

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4/22/14 半导体器件基础半导体器件基础 W I = µ C (V − V )V 线性区 ds eff ox L g t ds 4ε qN ψ Si a B W kT 2 q (V −V )/mkT −qV /kT q (V −V )/mkT V = V + 2ψ + 亚阈值 I = µ C (m − 1)( ) e g t (1− e ds ) = I 0 e g t 阈值电压 t f b B C ds eff ox ox L q 2εSi [V(y) + 2ψ B ] 亚阈值斜率/ d (log10 Ids ) −1 mkT kT Cdm 耗尽层宽度 W (y) = S = ( ) = 2.3 = 2.3 (1+ ) dm qN a 亚阈值摆幅 dV q q C g ox W m 2 µ V I = µ C [(V − V )V − V ] 速度饱和 lf DS ds eff ox g t ds ds