电子器件可靠性评价与分析技术进展演示文稿.pptVIP

失效发生期与失效率 失效率 时间 随机 磨损 早期 第三十一页，共八十一页。 第三十一页，共八十一页。 以失效分析为目的的电测技术 电测在失效分析中的作用 重现失效现象，确定失效模式，缩小故障隔离区，确定失效定位的激励条件，为进行信号寻迹法失效定位创造条件 电测的种类和相关性 连接性失效、电参数失效和功能失效 第三十二页，共八十一页。 第三十二页，共八十一页。 电子元器件失效分析的简单实用测试技术（一） 连接性测试：万用表测量各管脚对地端/电源端/另一管脚的电阻，可发现开路、短路和特性退化的管脚。电阻显著增大或减小说明有金属化开路或漏电部位。 待机(stand by)电流测试:所有输入端接地（或电源），所有输出端开路，测电源端对地端的电流。待机(stand by)电流显著增大说明有漏电失效部位。待机(stand by)电流显著减小说明有开路失效部位。 第三十三页，共八十一页。 第三十三页，共八十一页。 电子元器件失效分析的简单实用测试技术（二） 各端口对地端/电源端的漏电流测试（或I——V测试）,可确定失效管脚。 特性异常与否用好坏特性比较法确定。 第三十四页，共八十一页。 第三十四页，共八十一页。 待机(stand by)电流显著减小的案例 由于闩锁效应某EPROM的两条电源内引线之一烧断。 第三十五页，共八十一页。 第三十五页，共八十一页。 待机(stand by)电流偏大的案例TDA7340S音响放大器电路 用光发射显微镜观察到漏电部位 第三十六页，共八十一页。 第三十六页，共八十一页。 由反向I－V特性确定失效机理 第三十七页，共八十一页。 第三十七页，共八十一页。 由反向I－V特性确定失效机理 直线为电阻特性，pn结穿钉，属严重EOS损伤。 反向漏电流随电压缓慢增大，pn结受EOS损伤或ESD损伤。 反向击穿电压下降，pn结受EOS损伤或ESD损伤。 第三十八页，共八十一页。 第三十八页，共八十一页。 由反向I－V特性确定失效机理 反向击穿电压不稳定：芯片断裂、芯片受潮 烘烤变化与否可区分离子沾污和静电过电失效 第三十九页，共八十一页。 第三十九页，共八十一页。 烘焙技术 1应用范围：漏电流大或不稳定、阻值低或不稳定、器件增益低、继电器接触电阻大 2用途：确定表面或界面受潮和沾污 3方法：高温储存、高温反偏 第四十页，共八十一页。 第四十页，共八十一页。 清洗技术 应用范围：离子沾污引起的表面漏电 用途：定性证明元器件受到表面离子沾污 方法：无水乙醇清洗 去离子水冲洗（可免去） 烘干 第四十一页，共八十一页。 第四十一页，共八十一页。 烘焙和清洗技术的应用举例 彩电图像模糊的失效分析 第四十二页，共八十一页。 第四十二页，共八十一页。 烘焙和清洗技术的应用举例 双极型器件的反向靠背椅特性是钝化层可动离子沾污的结果，可用高温反偏和高温储存来证实。 第四十三页，共八十一页。 第四十三页，共八十一页。 失效分析的发展方向 失效定位成为关键技术 非破坏 非接触 高空间分辨率 高灵敏度 第四十四页，共八十一页。 第四十四页，共八十一页。 无损失效分析技术 无损分析的重要性 (从质检和失效分析两方面考虑) 检漏技术 X射线透视技术 用途：观察芯片和内引线的完整性 反射式扫描声学显微技术 用途：观察芯片粘接的完整性，微裂纹，界面断层 第四十五页，共八十一页。 第四十五页，共八十一页。 检漏技术 粗检：负压法、氟碳加压法 细检：氦质谱检漏法 第四十六页，共八十一页。 第四十六页，共八十一页。 负压法检漏 酒精 接机械泵 第四十七页，共八十一页。 第四十七页，共八十一页。 氟碳加压法 FC43 沸点180C F113沸点47.6C 加热至125C 第四十八页，共八十一页。 第四十八页，共八十一页。 X射线透视与反射式声扫描比较 第四十九页，共八十一页。 第四十九页，共八十一页。 X射线透视举例 FPGA电源内引线烧断 第五十页，共八十一页。 第五十页，共八十一页。 C－SAM像举例 功率器件芯片粘接失效 塑封IC的管脚与塑料分层 第五十一页，共八十一页。 第五十一页，共八十一页。 样品制备技术 种类：打开封装、去钝化层、去层间介质、抛切面技术、去金属化层 作用：增强可视性和可测试性 风险及防范：监控 第五十二页，共八十一页。 第五十二页，共八十一页。 打开塑料封装的技术 浓硫酸和发烟硝酸腐蚀法 第五十三页，共八十一页。 第五十三页，共八十一页。 去钝化层的技术 湿法：如用HF：H2O＝1：1溶液去SiO2