(高职）第4章 存储子系统教学课件.pptVIP

;第4章 存储子系统;本章需解决的主要问题：;外存;（1）主存;;2.物理存储器与虚拟存储器;3.存储器的分类(按存储介质);（3）光盘存储器;3.存储器的分类(按存取方式);RAM：;（2）顺序存取存储器（SAM）;（3）直接存取存储器（DAM）;4.存储器的技术指标;(2)数据传输率?R;4.2 半导体存储原理及芯片;TTL(Transistor-Transistor Logic), 晶体管-晶体管逻辑;※静态-动态存储器的特点;4.2.1 静态MOS存储单元与芯片;1.六管单元存储电路;（3）工作;地址：;4.2.2 动态MOS存储单元与芯片;(2)定义;高电平，断开充电回路，Z再加高电平,;2.单管单元电路;※单管单元是破坏性读出，读出后需重写。;行选RAS=0时：;动态存储器的刷新;注意刷新与重写的区别;对比访存与刷新;64ms内集中安排所有刷新周期。;64ms/4096行;4.2.3 RAM存储器介绍;MP SRAM;EDO DRAM;SDRAM;DDR SDRAM;介绍几种主要的ROM类型：;2、PROM;3、EPROM;4、EEPROM;5、FLASH;4.3 半导体存储器的设计;地址空间、 位宽、 工作频率、 电压等;4.3.2 半导体存储器逻辑设计;;[例1];1.计算芯片(1K×4b)数量;存储器寻址逻辑:;64KB;地址码=片选地址(2位)+片内地址(10位);3.线路连接;[例2]某半导体存储器，按字节编址。其中，0000H～07FFH为ROM区，选用EPROM芯片(2KB/片)；0800H～13FFH为RAM区，选用RAM芯片(2KB/片和1KB/片)。地址总线A15～A0（低）。给出地址分配和片选逻辑。;A15A14A13A12A11A10A9…A0;4.3.3 主存与CPU的连接;CPU;CPU;第4.4 磁表面存储原理;4.4.1 存储介质与磁头;;（2）读写原理;;4.4.2 磁记录的编码方式;(1)不归零-1制（NRZ1，no return to zero-1）;(2)调相制（相位调制PM，相位编码PE, phase）;(3)调频制（FM, frequency modulation）;4.5 磁盘存储器及其接口;1、软盘（略）;磁盘;圆柱面;盘组：;[例]定长记录格式;①非格式化容量;4.5.2 硬盘的技术指标;[例]某双面磁盘，4个盘片，每面有200道，内层磁道周长为50mm，内道每0.5mm划分为1个扇区(50B)，内层位密度1000b/mm，转速3000r/m： （1）该磁盘存储容量是多少？（非格式化和格式化） （2）磁盘的数据带宽是多少？;(4)磁表面存储器的校验;4.5.3 磁盘适配器;※硬盘的发展趋势;4.6 光学存储器;4.6.1 光存储原理;2 激光波长与焦距;4.6.2 光盘与光驱;2、光盘分类;4.5.3 光盘驱动器及其发展; 读盘模式; 数据缓存容量;4.7 三级存储体系;内存;4.7.2 Cache与主存映射;2. Cache的前提条件;3. 主存与Cache的地址映射;（1）直接映射;0 1 15;（2）全相联映射;标记;（3）组相联映射 111 000001110;[举例]某计算机的Cache共有16块，采用2路-组相联映射方式(即每组包括2块)。存储器按字节编址，每个主存块大小为32字节，那么129号主存单元所在的主存块应装入到的Cache组号是( )： A. 0 B. 2 C. 4 D.6;4.常用的替换算法;5. Cache的读/写操作;※Cache的读操作;;;1、页式虚拟存储管理;※页表基址寄存器;主存地址;2、段式虚拟存储器管理;主存地址;3、段页式虚拟存储管理;主存地址;[例4-13]存储器按字节编址，虚地址空间大小为16M，主存地址空间大小为1M，页面大小为4KB。系统运行到某时刻，页表的部分内容和TLB的状态分别如表4-6所示，表中的页框号及标记字段为十六进制。 请回答下列问题： （1）虚拟地址共有几位，哪几位表示虚页号？物理地址共有几位，哪几位表示页框号（物理页号）？ （2）虚地址001C60H 和024BACH所在的页面是否在主存中？若在主存中，则该虚拟地址对应的物理地址是什么？若不在，则请说明理由。;4.8 其他高性能存储器介绍;[主存速度与CPU处理速度存在差距]　;1、双端口存储器的逻辑结构 ;2、无冲突读写控制 ;4.8.2 磁盘冗余阵列;1.单体多字并行存储器;分体号;顺序编址方式的特点：;(2)交叉编址方式;4.8.4 相联(联想)存储器 ;0;在计算机系统中，联想存储器(Associative Memory)主要用于存放需要快速查找的内容，如：虚拟存储器中存放