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光子晶体的非线性克尔效应 目录 TOC \o 1-9 \h \z \u 目录 1 正文 1 文1：光子晶体的非线性克尔效应 1 1、四方晶系波导与谐振腔耦合模型 2 2、总结 6 文2：制备正交光子晶体的过程分析 6 1 双光束两次曝光法制备正交光子晶体 6 2 制备正交光子晶体的过程 7 1 的光子晶体的最佳曝光时间 8 3 光子晶体在 LED 发光效率中的作用 9 3 结语 10 参考文摘引言： 10 原创性声明（模板） 11 文章致谢（模板） 11 正文 光子晶体的非线性克尔效应 文1：光子晶体的非线性克尔效应 光子技术以其在带宽、容量和可并行处理等方面的优点，逐步显示出巨大优势。在通信方面，光纤光缆通信已逐步替代电缆通信;存储方面，已有的光盘代替了磁盘;还有正在研究的全息存储技术，都显示出极大的优越性。但是在信息处理的逻辑计算和通信的全光网络方面，仍然是电子技术占据着信息调制的主导地位，主要原因在于目前还没有实用性的全光开关和全光逻辑门[1]。全光开关的商业商品化也成为了目前全光网络发展的瓶颈所在。与传统电子技术相类比，全光开关相当于电子技术中的晶体管，要求全光开关通过控制光，实现对信号光的调制，且不涉及其他能量形式的转换。全光开关目标要求控制光功率与信号光功率相近或者远小于信号光，开关的反应速度更快，可以达到皮秒数量级[2]。全光开关要求用光调制光，但是由于光子间的相互作用极弱，不易实现光子对光子的控制，所以全光开关的实现就需要利用非线性光学来处理，这也成为了全光开关发展的一个难点。光开关的设计研究已经进行了多年，积累了丰富的经验[3]。例如需要通过外加能量源改变材料特性的电光开关[4]和热光开关，另外还有利用声波控制反应速度达到级别的声光开关。目前全光开关的类型主要可以分为纳米光子学型、非线性干涉仪型、光学双稳态型，其中纳米光子学型全光开关主要包括:纳米波导共振环型、光子晶体型、表面等离激元型3种类型，光子晶体型[5，6，7]和表面等离激元具有明显优势[8];非线性干涉仪型全光开关主要包括两种类型:非线性光纤光栅型、光放大型[8];光学双稳态全光开关主要包括折射型和反射型两种[9，10]。其中纳米光子学全光开关具有体积小巧、反应速度快等优点，成为目前研究的主要方向，特别是光子晶体，经过多年的探索，研究光子晶体的方法和技术日渐成熟。 目前谐振腔和波导耦合结构是全光开关以及全光逻辑门一个重要的研究方向。通过大量的研究，全光开关的实际应用必须降低控制光的功率，以实现利用功率等于甚至低于信号光的控制光，对信号光进行调制。本文主要对纳米光子学型中的光子晶体型全光开关进行研究，讨论了在四方晶系结构中设计的波导与谐振腔耦合的全光开关。 1、四方晶系波导与谐振腔耦合模型 简单3×3型谐振腔耦合 在光子晶体结构内，通过剔除介质柱引入一个线缺陷，形成一个直波导，然后在直波导的一侧引入一个谐振腔，如图1所示，主要对四方晶格光子晶体中引入3×3型光子晶体谐振腔进行设计优化。 首先对该环形谐振腔进行分析研究，通过在光子晶体中剔除16根介质柱，设计成如图2所示的环形谐振腔，该光子晶体介质柱材料为非线性材料，有效折射率为，克尔系数为9×10-17m2/W，介质填充比为，晶格常数为μm。通过在谐振腔内添加一个激励和监测器，就可以对谐振腔的谐振进行分析，从而求出其谐振波长。大量研究证明，激励和监测器只要不在对称位置即可求解谐振腔的谐振频率。利用MatLAB仿真软件对该谐振腔使用FDTD进行分析，设置边界为完全匹配层，通过监测器可以得到该谐振腔的谐振波长。按照上述预置参数进行计算，得到如图3(a)所示的结果，图中横坐标为波长，纵坐标为监测器扫描到的结果，其值为E2y，从图中可以得到在预置参数下该谐振腔在μm范围内不存在谐振。通过多次修改参数，得到如图3(b)所示的结果，即当晶格常数为μm，介质填充比取，折射率取值时，谐振腔的谐振波长趋向于μm。因为采用三阶非线性材料，当入射光波光强增大时，由公式n=n0+n2×I可知，将会导致介质柱的折射率增大。在其他参数不变的情况下，将介质折射率增大为时，得到如图3(c)的结果，可以看出在折射率增大后该谐振腔的谐振频率也会随之变化，导致波长为μm的光波不会在腔内发生谐振。 图1四方晶系中环形谐振腔 图2四环形谐振腔结构示意图 图3谐振腔仿真结果图 通过以上分析可以知道，该结构谐振器可以与波导耦合设计全光开关。本文设计了如图4所示的波导与谐振腔耦合型的全光开关结构，并对其进行了模拟仿真计算。入射波长为第三光通信波长μm，将A端口设置为信号光入射端口，B端口设置为信号光出射端口，同时A端口也为控制光入射端口。当没有控制光入射时，该光子晶体