单片机第五章-1.pptxVIP

第五章 半导体存储器;用途：存储程序、原始数据、中间变量、最终结果 性能：（1）容量：影响计算机的记忆能力 （2）速度：影响计算机的运算能力;;1、存储器定义 能存储程序和数据的部件统称为存储器。 2、存储器组成 存储器分为内存和外存两类。 ;3、内存储器的组成 存储器由半导体存储器芯片（VLSI）组成。 单片机内部存储器， 当单片机内部的存储器不够用时，可以外扩存储器。 外扩的存储器就是由半导体存储器芯片组成的。 当用半导体存储器芯片组成内存时必须满足个要求： ①每个存储单元一定要有8个位。 ②存储单元的个数满足系统要求。 注意：内存的容量是指它所含存储单元的个数 每个存储单元一定有8个位，可存储8位二进制信息。;1、ROM简介 ROM是只读存储器，ROM中的信息是用写录器写入的，一旦写入，其上的信息就不能随意更改，其内的信息可以由CPU读出，但不能由CPU通过指令写入。 2、ROM特性 ROM具有非易失性，即掉电后其上的信息不消失，常常用于存储程序和固定的数据表格。 3、ROM分类： ①掩膜ROM——其上的程序由厂家用特殊工艺写入，结构简单，集成度高，但成本也高，适用于大批量产生。 ②PROM——出厂时，其上未存任何信息；用户可以用编程器写入，一旦写入其上的程序就不能再更改。 ③EPROM——出厂时，其上未存任何信息；用户可以用编程器写入，也可以用紫外线整片擦除。 ④E2PROM——出厂时，其上未存任何信息；用户可以用编程器写入，也可以用电信号整字节擦除。 4、典型ROM芯片;Intel2764的容量为8K×8，有28个引脚。 各引脚的功能如下： ? Al2~A0：地址信号输入引脚，可寻址芯片的8K个存储单元。 ? D7~D0： 双向数据信号输入输出引脚。 ? CE：片选信号输入引脚，低电平有效。 ? OE：数据输出允许控制信号引脚，低电平有效。 ? VPP：+25v电源，用于在专用装置上进行写操作。 ? PGM：编程脉冲输入，低电平有效 ? Vcc：+5v电源。 ? GND：地。;1、RAM简介 RAM是随机读写存储器，其中的信息由CPU通过指令读写 （movx @dptr,a ,movx a,@dptr??。 2、RAM特性 RAM具有易失性，即掉电后其上的信息消失，故用于存储临时性数据。 3、RAM分类： RAM分为2类：双极型和MOS型（MOS型RAM因其集成度高，功耗低，价格便宜而得到广泛应用）。 MOS型RAM又分为SRAM和DRAM。 4、典型RAM芯片;Intel6264的容量为8K×8，有28个引脚。 各引脚的功能如下： ? Al2~A0：地址信号输入引脚，可寻址芯片的8K个存储单元。 ? D7~D0： 双向数据信号输入输出引脚。 ? OE：数据输出允许控制信号引脚，低电平有效。 ? WE：数据输入允许控制信号引脚，低电平有效。 ? CS1：片选信号输入引脚，低电平有效。 ? CS2：片选信号输入引脚，高电平有效。 ? Vcc：+5v电源，用于在线的读操作。 ? GND：地。;（1）OPT ROM 双极性熔丝式 （2）Flash 闪存 （3）FRAM 非易失性铁电存储器 （4）nvSRAM 新型非易失性静态读写存储器 （5）新型动态存储器;存储器的主要技术指标; 2、存取速度（可用多项指标比表示） （1）存取时间（访问时间）TA 从存储器接收到读/写命令到信息被读出或写入完成所需的时间（决定于存储介质的物理特性和寻址部件的结构）。 例如： ROM存取时间通常为几百 ns； RAM存取时间通常为几十 ns 到一百多ns； 双极性RAM存取时间通常为10~20 ns。 （2）存取周期 TM 指在存储器连续读/写过程中一次完整的存取操作所需的时间或者说是CPU连续两次访问存储器的最小时间间隔。 （有些存储器在完成读/写操作后还有一些附加动作时间或恢复时间，例如刷新或重写时。） TM略大于TA （3）数据传送速率（频宽）BM 单位时间内能够传送的信息量。 若系统的总线宽度为W，则BM=W/TM（b/s）