- 1、本文档共668页,可阅读全部内容。
- 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
微电子学概论
;2;3;4;5;授课、成绩评定方法;;8;9;;;12;13;;集成电路:Integrated Circuit (IC)
将晶体管、二极管等有源器件和电阻、电容等无源元件,按照一定的电路互连,“集成”在一块半导体单晶片(如硅或砷化镓)上
通过一系列特定的加工工艺来集成
封装在一个外壳内
执行特定电路功能;;;;;硅单晶片与加工好的硅片
硅片:wafer
芯片:chip,die
;集成电路芯片的显微照片;22;23;24;25;26;27;28;;;;;In the future
Maybe no person is necessary!;34;35;36;37;38;39;40;41;42;43;44;45;46;47;48;49;50;51;52;1959年7月第一块平面单片集成电路??Fairchild公司的Noyce
在Si 衬底制备了平面集成电路:氧化物隔离,Al互联;54;55;56;57;58;59;60;61;62;63;64;65;66;67;68;69;70;71;72;73;74;75;76;77;78;79;80;81;82; 半导体及其基本特性
北京大学;固体材料:超导体: 大于106(?cm)-1
导 体: 106~104(?cm)-1
半导体: 104~10-10(?cm)-1
绝缘体: 小于10-10(?cm)-1;1. 半导体的结构;半导体的结合和晶体结构;2. 半导体中的载流子:能够导电的自由粒子;电子:Electron,带负电的导电载流子,是价电子脱离原子束缚 后形成的自由电子,对应于导带中占据的电子
空穴:Hole,带正电的导电载流子,是价电子脱离原子束缚 后形成的电子空位,对应于价带中的电子空位;;;价带:0K条件下被电子填充的能量最高的能带
导带: 0K条件下未被电子填充的能量最低的能带
禁带:导带底与价带顶之间能带
带隙:导带底与价带顶之间的能量差;半导体中载流子的行为可以等效为自由粒子,但与真空中的自由粒子不同,考虑了晶格作用后的等效粒子
有效质量可正、可负,取决于与晶格的作用;4.半导体的掺杂;施主和受主浓度:ND、NA;;本征载流子浓度: n=p=ni np=ni2
ni与禁带宽度和温度有关;6. 非本征半导体的载流子;多子:多数载流子
n型半导体:电子
p型半导体:空穴
少子:少数载流子
n型半导体:空穴
p型半导体:电子;7. 电中性条件: 正负电荷之和为0;n型半导体:电子 n ? Nd
空穴 p ? ni2/Nd
p型半导体:空穴 p ? Na
电子 n ? ni2/Na;8. 过剩载流子;9. 载流子的输运;影响迁移率的因素:
有效质量
平均弛豫时间(散射〕;扩散电流;过剩载流子的扩散和复合;描述半导体器件工作的基本方程;方程的形式1; 电流连续方程 ; 电流密度方程 ;爱因斯坦关系;重 点;作 业;半导体器件物理基础北京大学;重 点;据统计:半导体器件主要有67种,另外还有110个相关的变种
所有这些器件都由少数基本模块构成:
pn结
金属-半导体接触
MOS结构
异质结
超晶格;PN结的结构;1. PN结的形成;2. 平衡的PN结:没有外加偏压;费米能级EF:反映了电子的填充水平某一个能级被电子占据的几率为:
E=EF时,能级被占据的几率为1/2
本征费米能级位于禁带中央;自建势qVbi;3.正向偏置的PN结情形;正向的PN结电流输运过程;4. PN结的反向特性;;5. PN结的特性;6. PN结的击穿;§ 2.4 双极晶体管;双极晶体管的两种形式:NPN和PNP;双极晶体管的结构和版图示意图;2.3 NPN晶体管的电流输运机制;NPN晶体管的电流输运;2.3 NPN晶体管的几种组态;3. 晶体管的直流特性;3. 晶体管的直流特性;4. 晶体管的特性参数;4. 晶体管的特性参数;4. 晶体管的特性参数 (续);4. 晶体管的特性参数 (续);5. BJT的特点;输入电容由扩散电容决定;缺点:;当代BJT结构;§ 2.5 MOS场效应晶体管;1. MOS 电容;关于电容;一 MOS结构;;未加偏压时的MOS结构; 功函数; 平带电压;施加偏压后的不同状态:积累、耗尽、反型;施加偏压后的不同状态:积累、耗尽、反型;施加偏压后的不同状态:积累、耗尽、反型;施加偏压后的不同状态:积累、耗尽、反型;MOS场效应晶体管;S;转移特性曲线;长沟MOSFET的输出特性;亚0.1微米MOSFET器件的发展趋势;作业;作业;北京
您可能关注的文档
- 土木工程测量(本科)全套教学课件.pptx
- 推销原理与实务全套教学课件.pptx
- 外贸函电全套教学课件.pptx
- 文学鉴赏全套教学课件.pptx
- 现代电子电路基础与实验全套教学课件.pptx
- 新闻摄影实务全套教学课件.pptx
- 学前儿童数学教育全套教学课件.pptx
- 液压与气动技术高职全套教学课件.pptx
- 艺术设计初步全套教学课件.pptx
- 营销渠道管理全套教学课件.pptx
- 英语人教PEP版八年级(上册)Unit4+writing+写作.pptx
- 人美版美术四年级(上册)8 笔的世界 课件 (1).pptx
- 人美版美术七年级(上册)龙的制作.pptx
- 英语人教PEP版六年级(上册)Unit 2 第一课时.pptx
- 数学苏教版三年级(上册)3.3 长方形和正方形周长的计算 苏教版(共12张PPT).pptx
- 音乐人教版八年级(上册)青春舞曲 课件2.pptx
- 音乐人教版四年级(上册) 第一单元 音乐知识 附点四分音符|人教版.pptx
- 英语人教PEP版四年级(上册)Unit 6 Part B let's learn 1.pptx
- 道德与法治人教版二年级(上册)课件-3.11大家排好队部编版(共18张PPT).pptx
- 人美版美术七年级(上册)《黄山天下奇》课件1.pptx
文档评论(0)