无机非金属材料科学基础课后习题资料.docVIP

第一章答案 20、（1）略； 2）四面体缝隙数/O2-数=2:1，八面体缝隙数/O2-数=1:1； 3）(a)CN=4，z+/4×8=2，z+=1，Na2O，Li2O；(b)CN=6，z+/6×6=2，z+=2，FeO， MnO；（c）CN=4，z+/4×4=2，z+=4，ZnS，SiC；(d)CN=6，z+/6×3=2，z+=4，MnO2。 21、解：岛状；架状；单链；层状（复网）；组群（双四面体）。 22、解：（1）有两种配位多面体，[SiO4]，[MgO6]，同层的[MgO6] 八面体共棱，如59[MgO6] 和49[MgO6]共棱75O2-和27O2-，不同层的[MgO6]八面体共顶，如 1[MgO6]和51[MgO6]共顶 是22O2-，同层的[MgO6]与[SiO4]共顶，如T[MgO6]和7[SiO4]共顶22O 2-，不同层的[MgO6] 与[SiO4]共棱，T[MgO6]和43[SiO4]共28O2-和28O2-； 3）z=4； 4）Si4+占四面体缝隙=1/8，Mg2+占八面体缝隙=1/2。 23、解：透闪石双链结构，链内的Si-O键要比链5的Ca-O、Mg-O容易沿链间结协力较弱处劈裂成为纤维状；滑石复网层结构，复网层由两个的水镁石层结构组成，复网层与复网层之间靠教弱的分之间作使劲联系，以易沿分子间力联系处解理成片状。  键强很多，所以很 [SiO4]层和中间 因分子间力弱，所 24、解：石墨中同层C原子进行SP2杂化，形成大Π键，每一层都是六边形网状结构。 由于缝隙较大，电子可在同层中运动，可以导电，层间分子间力作用，所以石墨比较软。 25、解：（1）Al3+可与O2-形成[AlO4]5-；Al3+与Si4+处于第二周期，性质近似，易于进入 硅酸盐晶体结构中与Si4+发生同晶取代，由于鲍林规则，只能部分取代；（2）Al3+置换Si4+ 是部分取代，Al3+取代Si4+时，结构单元[AlSiO 4][ASiO5]，失去了电中性，有节余的负电荷， 为了保持电中性，将有一些半径较大而电荷较低的阳离子如 K+、Ca2+、Ba2+进入结构中；（3） 设Al3+置换了一半的Si4+，则O2-与一个Si4+一个Al3+相连，阳离子静电键强度 =3/4×1+4/4×1=7/4，O2-电荷数为-2，二者相差为 1/4，若取代超过一半，二者相差必然 1/4， 造成结构不稳定。 第二章答案 1、解：钠原子空位；钠离子空位，带一个单位负电荷；氯离子空位，带一个单 位正电荷；最周边的Na+空位、Cl-空位形成的缔合中心；Ca2+占有K.地址，带一个单位正电荷；Ca原子位于Ca原子地址上；Ca2+处于晶格缝隙地址。 2、解：（1）NaCl NaCa’+ClCl+VCl· （2）CaCl2 · CaNa+2ClCl+VNa’ 3）OVNa’+VCl· （4）AgAgVAg’+Agi· 3、解：设有缺陷的MgO晶胞的晶胞分子数为x，晶胞体积V=(4.20)3，x=ρVN0/M=3.96,单位晶胞的肖脱基缺陷数=4-x=0.04。 4、解：（a）根据热缺陷浓度公式n/N=exp(-E/2RT)， E=6eV=6×1.602×10-19=9.612×10-19J, T=298k：n/N=1.92×10-51，T=1873k：n/N=8.0×10-9； （b）在MgO中加入百万分之一的AL2O3，AL2O3 · +VMg’’+3OO， 2ALMg [AL2O3]=10-6，∴[杂质缺陷]=3×10-6/2=1.5×10-6，∴比较可知，杂质缺陷占优。 5、解：n/N=exp(-E/2RT)，R=8.314，T=1000k：n/N=6.4×10-3；T=1500k： n/N=3.5×10-2。 6、解：Fe2O3 · +3OO+VFe’’ 2FeFe y 2y y Fe3+2yFe2+1-3yO， X=1-y=1-0.0435=0.9565,Fe0.9565O [V’’]== -2 =2.22×10 Fe 7、解：Zn(g)Zni·+e’,Zn(g)+1/2O2=ZnO,Zni·+e’+1/2O2 ZnO,[ZnO]=[e  ’]， ∴PO2  [Zni  ·]  ρ O(g) OO+V’’+2h 2 Fe k=[OO][VFe’’][h · ]/PO21/2=4[OO][VFe’’]3/ 2- ， PO21/2,[VFe’’]∝PO1/6 ∴ PO [VFe’’] ρ 2 8、解：刃位错：位错线垂直于位错线垂直于位错运动方向；螺位错：位 错线平行于位错线平行于位错运动方向。 10、解：排斥，张应力重叠，压应力重叠。 11、解：晶界对位错运动起阻拦作用。 12、解：不能，在大角度晶界中，原子排列凑近于无序的状态，而位错 之间的距离