第8章-陶瓷封装.ppt

第八章;8.1陶瓷材料特性简介;整理ppt;离子键;共价键;陶瓷封装的缺点：;图 陶瓷封装与塑料封装工艺流程;陶瓷的表面性质参数;表面形貌示意图;rms;CLA;rms与CLA的比较;2、弯曲度 它表征基板表面与理想平面的偏离程度。弯曲度的单位是长度/长度。表示每单位长度的基板对理想平面的偏离。 弯曲度的测量：首先将基板放置在预先排列的平行基板之间。平行板间距根据情况设置。将基板能够通过的最小距离减去基板厚度，再除以基板最长距离。;陶瓷的机械性能; 样品每单位长度上的伸长带来的应力(S)由Hooke定律???出： 式中，S为材料的应力，单位N/m2,Y为弹性模量，单位N/m2 。 如果总应力超过材料本身的强度，就会在样品上形成机械裂纹。;2、硬度 陶瓷是已知最硬的基板。测试硬度的最常用方法是努氏法，即用金刚石压刀在材料上轻压，留下痕迹。然后测量此痕迹的深度，并定量转换为等级，称为努氏等级。 表 部分陶瓷的努氏等级;3、热冲击 热冲击是指由于急剧加热或冷却，使物体在较短的时间内产生大量的热交换，温度发生剧烈的变化时，该物体就要产生冲击热应力，这种现象称为热冲击。可以用热承受因子来衡量基板忍受热应力的能力。 ;8.2陶瓷生产流程;1、流延成型法;2、干式压制成型（Dry Press）与滚筒压制成型（Roll Compaction） 干式压制的方法为低成本的陶瓷成型技术，适用于单芯片模块封装的基板及封盖等形状简单板材的制作。干式压制成型将陶瓷粉末置于模具中，施予适当的压力压制成所需形状的生胚片后，再进行烧结。 滚筒压制成型将以喷雾干燥法制成的陶瓷粉粒经过两个并列的反向滚筒压制成生胚片，所使用的原料中黏结剂的所占的比例高于干式压制法，但低于刮刀成型法所使用的原料。所得的生胚片可以切割成适当形状或冲出导孔。因质地较硬而不适于叠合制成多层的陶瓷基板。;3、打孔;（3）激光打孔 激光打孔法速度最快，打孔精度和孔径都介于钻孔和冲孔之间。由于激光打孔过程不与工件接触，因此加工出来的工件清洁无污染。;4、通孔填充;5、生肧片叠压 如需制成多层的陶瓷基板，则必须完成厚膜金属化的生胚片进行叠压。生胚片以厚膜网印技术印上电路布线图形及填充导孔后，即可进行叠压。叠压的工艺根据设计要求将所需的金属化生胚片置于模具中，再施予适当的压力叠成多层连线结构。 ;6、划片 目前常用激光划片，激光划片又分两种： A、划痕切割 采用脉冲激光在陶瓷上沿直线打一系列相互衔接的盲孔，孔的深度只有陶瓷厚度的1/3-1/4。稍加用力，就可沿此直线折断陶瓷。 B、穿透切割 采用脉冲或连续激光，按通常方法切割。切割速度较低。;7、烧结 烧结为陶瓷基板成型中的关键步骤之一，高温与低温的共烧条件虽有不同，但目标只有一个就是将有机成分烧除，无机材料烧结成为致密、坚固的结构。 ;A、高温共烧 在高温的共烧工艺中，有机成分的脱脂烧除与无机成分的烧结通常在同一个热处理炉中完成，完成叠压的金属化生胚片先缓慢地加热到500~600℃以除去溶剂、塑化剂等有机成分，缓慢加热的目的是预防气泡（Blister）产生。 待有机成分完全烧除后，根据所使用的陶瓷与厚膜金属种类，热处理炉再以适当的速度选择升温到1375~1650℃，在最高温度停留数小时进行烧结。 ;B、低温共烧 低温共烧工艺的温度曲线与热处理炉气氛的选择所使用的金属膏种类有关。使用金或银金属膏基板的共烧工艺为先将炉温升至350℃，再停留约1h以待有机成分完全除去，炉温再升至850℃并维持约30min以完成烧结；共烧工艺均在空气中进行，耗时约2~3h。;8、表层电镀 表层电镀及引脚接合的另一个目的在于制作接合的针脚以供下一层次的封装使用。对高温共烧型的陶瓷基板，键合点表面必须使用电镀或无电解电镀技术先镀上一层约2.5um厚的镍作为防蚀保护层及用于针脚焊接，镍镀完成之后必须经热处理，以使其与共烧型的钼、钨等金属导线形成良好的键合。镍的表面通常又覆上一层金的电镀层以防止镍的氧化，并加强针脚硬焊接合时焊料的湿润性。 ;9、终检 对排胶、烧结、焊接完成后的陶瓷元件还须进行多方面的检测，以保证其性能的可靠性。这些检测包括外观、尺寸、强度、电性能等方面。;8.3 陶瓷基板材料;表 陶瓷材料的基本特性比较;1、氧化铝陶瓷浆料 浆料（Slurry, or Slip):无机与有机材料的组合。将各种无机和有机材料混合后，经一定时间的球磨后即称为浆料。也称为生胚片载体系统。 无机材料组成：氧化铝粉与玻璃粉末 有机材料组成：粘合剂、塑化剂、有机溶剂 无机