实验指导- IGBT驱动电压电平检测保护电路.pdfVIP

1.1项目（IGBT 驱动电压电平检测保护电路） 1.1.1 项目背景 在许多工业控制系统中，常常需要变频器。而IGBT作为变频器 的功率输出器件，在快速低损耗的电力电子应用范围内, 在中、低 频功率控制应用中,IGBT最具独特性能，其应用日趋广泛。 在实际工业应用中，IGBT驱动电路中，正向驱动电压过大则可能 使IGBT出现擎住效应，导致门控失效，从而造成IGBT的损坏；正向 驱动电压过小会使IGBT退出饱和导通区而进入线性放大区域，使 IGBT过热损坏；高速开通和关断时，会产生很高的尖峰电压，极有可 能造成IGBT或其他元器件被击穿。当IGBT关断时，栅射电压很容易 受IGBT和电路寄生参数的干扰，使栅射电压引起器件误导通导致 IGBT的损坏，因此IGBT的驱动电路和保护电路是电路设计的难点和 关键，性能优良的驱动和保护电路是保证IGBT高效、可靠运行的必 要条件。 1.1.2 任务要求 A、B为单桥臂上下IGBT的栅极驱动信号，当驱动电压小于13.5V 时，容易造成IGBT工作不正常 ，因此当IGBT栅极驱动电压=时13.5V， 要求立刻封锁驱动电平（低电平）,根据上述功能要求，现准备设计 一个IGBT的驱动电平检测保护电路。 1.1.3 项目实施 工具准备 电烙铁、示波器、万用表 电子资料 1、IGBT驱动电压电平检测保护电路讲解资料 2、IGBT驱动电压电平检测保护电路电路图 基础知识储备 （一）TL431 比较器电路 TL431 内部具有一个2.5V的基准电压，接在运放的反向输入端。 由运放的特性可知，只有当R端（同向端）的电压非常接近2.5V时， 三极管中才会有一个稳定的非饱和电流通过。TL431 的三个引脚分别 为正极（R）、阳极（A）、阴极(K)，TL431 引脚图及等效逻辑功能图 如下。 TL431逻辑功能图 比较器电路 比较器电路它是巧妙的运用了Vref=2.5v这个临界电压。当 UiVref时，A极与K极导通，TL431导通,U0=2V，当ViVref时，A 极与K极不导通，TL431不导通,U0=UCC （二）稳压二极管 利用pn结反向击穿状态，其电流可在很大范围内变化而电压基 本不变的现象，制成的起稳压作用的二极管。此二极管是一种直到临 界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件.在这临界击穿点上， 反向电阻降低到一个很小的数值，在这个低阻区中电流增加而电压则 保持恒定，稳压二极管是根据击穿电压来分档的，因为这种特性，稳 压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用。稳压二极管可以串联起 来以便在较高的电压上使用，通过串联就可获得更高的稳定电压。 项目实施步骤 电路原理图设计 1.主电路设计： 由TL431比较器电路和2路驱动信号电压信号组成的驱动电压电 平检测电路 利用TL431 的2.5V基准电压特性组成的电压保护电路  测量T1点的电压，即TL431 的R端（正极）输入的电压，从而判 断TL431是否导通  测量T2点的电压，可以验证TL431是否导通  测量T3和T4点的电压，可以结合三极管的导通条件判断三极管 能否导通  测量T5和T6点的电压，可以得到输出信号 电路功能测试 用万用表或示波器接在T5或T6处，接通24V 电源，在输入端 V-IN(10V~15V)由10V输入开始，逐渐增大至15V，观察得出当输入端 V-IN输入电压小于13.5V时，Q1和Q2导通，T5和T6处电压值为低 电平0，即信号封锁，当输入端V-IN输入电压大于13.5V时，Q1和 Q2不导通，T5和T6处电压值为高电平，输出正常信号 电路调试分析 电路调试分析一：2V4的稳压管有什么作用，可不可以去掉或者 换成二极管 分析：电压有关系，限制电压 电路调试分析二：调整输入驱动电压为限制为12V时，该怎样搭 建更改电路 分析：电压有关系，限制电压，电压分压 电路调试分析三：当输入端V-IN输入任意电压时，输出三极管不 导通，T5输出低电平，T6输出正常 分析：从输入到输出，测量各测试点的电压是否正常，定位范围， 查找原因 电路调试分析四：当输入端V-IN输入任意电压时，T5,T6输出高 电平 分析：从输入到输出，测量各测试点的电压是否正常，定位范围， 查找原因