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2.模数转换器ADC的设计 1目标与设计流程 1.1工程目标 设计一个采样速度为30Msps，而分辨率为10BIT的模数转换器。具体指标如下： 采样频率：30Msps 分辨率：10位 功耗：150mW 单端或全差分模拟输入，输入信号的最大峰-峰值为2V 工作电压：5V 3V或5V逻辑输出 第二十八页，共四十一页。 1.2 ADC设计流程 第二十九页，共四十一页。 “ ” “ ” 工程设计 赵攀 第一页，共四十一页。 在本章中，结合前面所学的理论，举例说明实际的模拟集成电路设计与数模混合集成电路设计的特点。 首先具体设计了一款运算放大器，指出了多级运算放大器设计的指标与结构之间的关系以及运算放大器的设计思路。 然后设计了一款10位30Msps的模数转换器，以此说明模数混合集成电路的设计思路。 第二页，共四十一页。 1.运算放大器设计 ? 第三页，共四十一页。 1.1放大器结构的确定 1.由于单级CMOS放大器的电压增益通常为20~60dB，根据所提出的设计指标，其增益要求不下于85dB，因此至少需要二级放大器级联。 2.由于要求该放大器驱动大电容负载（60pF），并实现缓冲放大，所以采用源级跟随器作为输出级，以避免负载对前一级增益的影响。 由以上两点可以初定运算放大器为三级级联结构。 由于该运算放大器要求共模输入范围大，即第一级的共模输入范围较大。而根据前面所学，共模输入与增益是一对矛盾体，故该级的放大器增益不是很高，所以第一级的增益设计为30~40dB。 由于输出级设计为源级跟随器，其增益为1，为了实现总的增益要求，第二级的增益要达到60~70dB。 另外，为了实现缓冲放大，使放大器能稳定工作，在电路中采用RC补偿，并为了实现片内补偿的要求，利用密勒补偿的方法，以减小补偿电容和电阻值。 第四页，共四十一页。 3.具体电路形式 假定所采用的为N阱CMOS工艺 （1）输入级的确定 由于采用的是N阱CMOS工艺，则采用PMOS管作为差分输入对管就可避免其衬底偏置效应。 （2）中间级的确定 为了满足系统增益要求，第二级采用共源共栅放大器。 （3）输出级的确定 为了提高驱动能力，输出级采用共源电路并以PMOS管作为输入管，以避免衬底 偏置效应，但由于电平位移的作用使输出幅度下降。另外，由于输出级电流较大，需要采用独立的偏置电路。 （4）补偿方式的确定 在本设计中采用RC补偿方式，并且电阻R由NMOS管组成。 第五页，共四十一页。 由以上要求可以确定运算放大器如图18.1所示 第六页，共四十一页。 1.2选择工艺参数 ? 第七页，共四十一页。 1.3各级放大器参数的初步考虑 ? 第八页，共四十一页。 ? 第九页，共四十一页。 ? 第十页，共四十一页。 ? 第十一页，共四十一页。 ? 第十二页，共四十一页。 ? 第十三页，共四十一页。 ? 第十四页，共四十一页。 2.验证共模范围是否满足设计要求，此时应假定放大器的输入信号应为共模电压。 3.验证放大器的增益是否满足设计要求， 此时放大器的输入信号应为差模信号。 第十五页，共四十一页。 2.主增益级的设计 ? 第十六页，共四十一页。 ? 第十七页，共四十一页。 ? 第十八页，共四十一页。 ? 第十九页，共四十一页。 ? 第二十页，共四十一页。 3.输出级的设计 ? 第二十一页，共四十一页。 ? 第二十二页，共四十一页。 4.偏置电路的设计 ? 第二十三页，共四十一页。 ? 第二十四页，共四十一页。 ? 第二十五页，共四十一页。 5.频率补偿设计 ? 第二十六页，共四十一页。 ? 第二十七页，共四十一页。 “ ” “ ”