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IGBT 市场分析报告 June 2014 CONTENTS 01.IGBT介绍 02.IGBT特点 03.IGBT工艺 04.IGBT市场状况 05.IGBT应用领域 06.IGBT市场分布 01.IGBT介绍 IGBT是RCA公司和GE公司在1982年提出并于1986年开始正式生产并逐渐系列化的器件，是继双极晶体管(GTR)和MOSFET后的第三代功率半导体分立器件，其综合GTR和MOSFET的优点，具有易于驱动、峰值电流容量大、自关断、开关频率高的特点，广泛应用于小体积、高效率的变频电源、电机调速、UPS以及逆变焊机当中，是目前发展最为迅速的新一代功率器件。 IGBT下游应用领域也非常广阔，从IGBT的耐压范围上来分，600V-1200V的IGBT主要用于电磁炉、电源、变频家电等产品，现阶段这部分市场的IGBT用量最大;低于600V的IGBT主要用于数码相机闪光灯和汽车点火器上;电压大于1200V的IGBT主要以1700V的IGBT为主，这部分产品主要用在高压变频器等工业产品上。 Insulated Gate Bipolar Transistor 绝缘 栅 双极 晶体管 02.IGBT特点 IGBT融合了MOS和BJT的特点： 电压控制 驱动功率：小 开关速度：中 输入阻抗：大 开关损耗：小 工作频率：较高 耐压