印制电路基础：原理、工艺技术及应用第5章.成孔与孔金属化技术.pptx

;;5.1 概述;5.1 概述;5.1 概述;5.2 钻孔技术;5.2 钻孔技术;5.2 钻孔技术;5.2 钻孔技术;5.2 钻孔技术--数控钻孔;5.2.2 激光钻孔 微小孔的加工是生产高密度互连（HDI）印制板的重要步骤，激光钻孔是目前最容易被人接受的微小孔的加工方式。 ;5.2 钻孔技术;5.2 钻孔技术;5.2 钻孔技术;5.2 钻孔技术;5.2 钻孔技术;5.2 钻孔技术;5.2 钻孔技术;5.2 钻孔技术;5.2 钻孔技术;5.2 钻孔技术;5.2.2 化学蚀孔 化学蚀孔方法比等离子等离子体蚀孔、激光蚀孔法价格便宜，能蚀刻50 μm以下的孔。但所能蚀刻的材料有限，主要针对聚酰亚胺材料。 ;5.3 去钻污工艺;5.3 去钻污工艺;5.3 去钻污工艺;5.3 去钻污工艺;5.3.2 浓硫酸去钻污 由于H2SO4具有强的氧化性和吸水性，能将环氧树脂炭化并形成溶于水的烷基磺化物而去除。反应式如下： 除钻污的效果与浓H2SO4的浓度、处理时间和溶液的温度有关。用于除钻污的浓H2SO4的浓度不得低于86％，室温下20-40秒钟，如果要凹蚀，应适当提高溶液温度和延长处理时间。 浓H2SO4只对孔壁的环氧树脂起作用，对玻璃纤维无效。 ;5.3.3 碱性高锰酸钾处理法 通过这种方法除去环氧树脂钻污，处理分三步进行： （1）溶胀 溶胀环氧树脂，使其软化，为高锰酸钾去钻污作准备。 （2）去钻污 利用高锰酸钾的强氧化性，使溶胀软化的环氧树脂钻污氧化裂解。 （3）还原 去除高锰酸钾去钻污残留的高锰酸钾、锰酸钾和二氧化锰 ;5.3 去钻污工艺; 化学镀铜（Electroless Copper Plating）俗称沉铜，它可以一次浸入到化学镀铜液中进行镀铜，这用电镀法是无法做到的。化学镀铜可以在任何非导电的基体上进行沉积，利用这一特点在印制电路板制造中得到了广泛的应用。 ;5.4.1 化学镀铜的原理 它是一种自催化氧化还原反应，在化学镀铜过程中Cu2+得到电子还原为金属铜，还原剂放出电子，本身被氧化。 （1）化学镀铜反应机理: ①络合铜离子（Cu2+－L）得到电子还原成金属铜： Cu2+－L+2e = Cu+L ②化学镀铜时，电子由甲醛提供： 2HCHO+4OH－→2HCOO－+2H2+2e+H2O ③化学镀铜总反应式： Cu2++2HCHO+4OH－→Cu+2HCOO－+2H2O+H2↑;5.4 化学镀铜技术;（2）化学镀铜液的稳定性 化???镀铜溶液在使用过程中以及存放期间，都会发生自然分解，下列是稳定化学镀铜液的措施： ①加入适量的稳定剂，并采用空气搅拌溶液 ②严格控制操作温度 ③严格控制pH值 ④连续过滤化学镀铜液 ⑤在镀液中加入高分子化合物掩蔽新生的铜颗粒 ;5.4.2 化学镀铜的工艺过程 （1）典型孔金属化工艺流程： ;（2）工艺原理及控制 ①去毛刺。由于钻孔后的印制电路板的边缘有时会产生毛刺，如不去除。会影响金属化孔的质量和印制电路板的外观 ②去钻污 ③清洁调整处理。清洁调整剂通常采用碱性溶液，也有酸性或中性溶液。在生产过程中，需要监控溶液的pH值、调整剂的浓度、溶解铜浓度、温度和处理时间等 ④粗化。经粗化处理后，基体铜层形成微观粗糙表面，增加结合力。 ;5.4 化学镀铜技术;5.4 化学镀铜技术;5.4 化学镀铜技术;5.5 一次化学镀厚铜孔金属化工艺;5.5.2 多层板一次化学镀厚铜工艺 （1）用液体感光胶制作内层电路 （2）多层叠层与压合 （3）用液体感光胶制作外层电路 （4）印阻焊掩膜，固化 （5）用液体感光胶涂布面，再用阻焊掩膜曝光，露出焊盘 （6）钻孔 （7）H2SO4/HF凹蚀处理，再进行粗化，活化，NaOH解胶 （8）化学镀厚铜20μm ; 多层板制造对化学镀铜和电镀铜层的物理性要求很高，特别是对小孔径和高孔径与板厚比，要求铜层厚度均匀性、铜层的物理性能要优越。孔金属化常见缺陷如下图所示，所以对孔金属化存在的各种缺陷和金属化孔质量检测十分重要。 ;5.6.1 背光试验法 背光试验法是检查孔壁化学镀铜完整性最常用的方法。 5.6.2玻璃布试验 玻璃布试验是为了检查化学镀铜槽液活性而设计。 5.6.3金相显微剖切 金相显微剖切是观察孔壁上除钻污、化学铜及电镀层全貌和厚度的最可靠方法。 ;5.7.1 概述 化学镀铜缺点： （1）溶液中的甲醛对生态环境有危害，且致癌 （2）镀液中的络合剂不易降解，废水处理困难。 （3）化学镀铜溶液的稳定性较差