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模拟电子技术 胡宴如（第3版）自测题 第1章半导体二极管及其基本应用 1．1 填空题 1．半导体中有 空穴和自由电子两种载流子参加导电。 2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成N 型半导体，其多数 载流子是 电子 ；若掺入微量的三价元素，则形成 P 型半导体，其多数载 流子是空穴。 3．PN结在正偏时导通反偏时截止，这类特征称为 单导游电 性。 4．当温度高升时，二极管的反向饱和电流将 增大 ，正向压降将 减小。 5．整流电路是利用二极管的 单导游电 性，将交流电变为单向脉动的直 流电。稳压二极管是利用二极管的 反向击穿 特征实现稳压的。 6．发光二极管是一种通以 正向 电流就会 发光 的二极管。 7．光电二极管能将 光 信号转变为 电 信号，它工作时需加 反向偏置 电压。 8．测得某二极管的正向电流为 1mA，正向压降为V，该二极管的直流电阻 等于650 Ω，交流电阻等于 26 Ω。 1．2 单项选择题 1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于(C)。 A ．温度 B ．混淆工艺 C ．混淆浓度D．晶格缺点 2．PN结形成后，空间电荷区由( D)构成。 A ．价电子 B ．自由电子 C ．空穴 D ．杂质离子 ．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而 ( B ) 。 3 A ．减小 B ．基本不变 C ．增大 4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将(C)。 A ．增大 B ．基本不变 C ．减小 5．变容二极管在电路中主要用作(D)。 、 A ．整流 B ．稳压 C ．发光 D ．可变电容器 1．3 是非题 1．在N型半导体中假如掺人足够量的三价元素，可将其改型为 P型半导体。 (√) 2．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。 (×) 3．二极管在工作电流大于最大整流电流 IF时会损坏。( ×) 4．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。 ( ×) 1．4 分析计算题 1．电路如图T1．1所示，设二极管的导通电压 UD(on)=，试写出各电路的输出 电压Uo值。 解：(a)二极管正导游通，所以输出电压 U0＝(6—V＝V。 令二极管断开，可得UP＝6V、UN＝10V，UPUN，所以二极管反向偏压而截止，U0＝10V。 令V1、V2均断开，UN1＝0V、UN2＝6V、UP＝10V，UP—UN1Up—UN2，故V1 优先导通后，V2截止，所以输出电压U0＝V。 2．电路如图T1．2所示，二极管拥有理想特征，已知 ui＝(sinωt)V，试对 应画出u、u、 iD 的波形。 i0 解：输入电压ui为正半周时，二极管正偏导通，所以二极管两端压降为零，即u0＝0，而流过二极管的电流iD＝ui／R，为半波正弦波，其最大值IDm＝10V／1kΩ＝10mA；当ui为负半周时，二极管反偏截止，iD＝0，u0＝ui为半波正弦波。所以可画出电压u0电流iD的波形如图(b)所示。 3．稳压二极管电路如图T1．3所示，已知UZ＝5V，IZ＝5mA，电压表中流过的电流忽视不计。试求当开关s断开和闭合时，电压表○V和电流表○A1、○A2读数分别为多大? 解：当开关S断开，R2支路不通，IA2＝0，此时R1与稳压二极管V相串连，所以由图可得 U1U2 (185)V IA1 6.5mAIZ R1 2K 可见稳固二极管处于稳压状态，所以电压表的读数为 5V。 当开关S闭合，令稳压二极管开路，可求得 R2两端压降为 UR2 R2 U1 0.5 183.6 UZ 20.5 R1 R2 故稳压二极管不可以被反向击穿而处于反向截止状态，所以，R1、R2构成串连电路，电流表A1、A2的读数同样，即 IA1I U1 18V A2 R2（2 7.2mA R1 0.5）K 而电压表的读数，即R2 两端压降为V。 第2章半导体三极管及其基本应用 2．1填空题 1．晶体管从结构上可以分成PNP和NPN两各种类，它工作时有 种载流子参加导电。 2 ．晶体管拥有电流放大作用的外面条件是发射结 正偏 ，集电结 反偏 。 3 ．晶体管的输出特征曲线平常分为三个地域，分别是 放大、 饱和 、 截止 。 增大 CBO增大 减 4 ．当温度高升时，晶体管的参数β ，I BE ，导通电压U 小 。 5 ．某晶体管工作在放大区，假如基极电流从 10μA变化到20μA时，集电 极电流从1mA变为mA，则交流电流放大系数β约为99。 ．某晶体管的极限参数ICM=20mA、PCM=100mW、U(BR)CEO=30V，所以，当工作电 压CE 时，工作电流 I C不得超出10 ；当工作电压CE 时， C不得超 U=10V mA U=1V I 过 20mA；当工作电流IC=2mA时，UCE不得超出30 V。 7 ．场效应管从结构上可分为两大类： 结型 、 MOS；