第二章 晶向检测(之一).ppt

第二章 晶向与晶体缺陷检测;本章内容;;;1、硅单晶的特点 ; 是垂直于晶面的矢量。通常用密勒指数(h,k,l)表示。 [hkl]晶向和hkl晶面垂直;编辑ppt;硅单晶的不同晶面结构及其特点;;;;;此型仪器设有两个工作台，可同时进行操作，右侧工作台带有托板，可对圆柱形晶体进行端面与柱面定向，也可以对晶片的端面进行定向，左侧工作台可对晶片的端面进行定向，仪器精度为±30″最小读数为1″，数字显示。 ;该型定向仪仪专门用于硅单晶锭的粘结，是和多线切割机配套使用的半导体行业专用设备。;（三） X射线衍射法;;;;;;当相邻原子面散射后的光程差(2dsinθ)等于入射光波长的整数倍时，即 相邻原子面散射波干涉加强，产生明显的衍射光束。; 对于半导体硅，它具有金刚石结构，其晶格常数a＝5.43073?，其面间距与一些主要的低指数晶面(h、k、l)的关系为； ;X-ray Diffraction Pattern;编辑ppt;编辑ppt;图2.9 X射线衍射仪的原理结构示意图 ;编辑ppt;编辑ppt;编辑ppt;2. X射线测角仪;编辑ppt;3. X射线的探测;4. ;编辑ppt;（1）晶体结构（晶向、晶格常数、原子面间距）的测量 测量时将样品置于衍射仪的测角仪上，由x射线源发出的射线，经滤光片后得到单色x射