化学植筋拉拔试验检测方法及评定(培训课件).pptVIP

表面覆盖率和气相分子的凝聚系数 定义两个参量： 表面覆盖率 ? —— 薄膜表面处的所有位置中，被沉积分子吸附后所覆盖的比率 凝聚系数 Sc —— 扩散来的分子通量 J 中，最终溶入薄膜的分子比例 Sc 决定了薄膜的生长速率：Sc 越大，扩散来的分子则越多地被溶入薄膜中 在 PVD 过程中，Sc ? 1； 在 CVD 过程中，Sc 可能很小, 也可能较大； 当气相与固相处于动态平衡时，Sc = 0。 表面覆盖率和气相分子的凝聚系数 ? 决定了薄膜继续接受吸附分子的可能性：? 越大，后扩散来的活性分子被薄膜表面吸附的可能性越小 ?=1，薄膜不再能吸附新的分子； ?=0，薄膜可大量吸附新来的分子。 例：CVD薄膜对衬底的覆盖能力 CVD 薄膜可被较均匀地涂覆在复杂零件的表面，而较少受到阴影效应的影响。即使如此，深孔内的均匀涂层仍然是一个技术难题 CVD 薄膜实现均匀沉积的条件是： 温度分布的均匀性 气相基团能通过对流、扩散均匀地到达沉积表面 显然，若衬底上存在着较深的孔、槽等凹陷，反应基团需要扩散进去，反应产物要扩散出来，因而凹陷内将发生一定程度的养分贫化现象，并导致凹陷内薄膜沉积速率低于凹陷外薄膜沉积速度的现象 CVD 薄膜对深孔的覆盖能力的变化规律 综合考虑分子的散射、吸附、反应、脱附过程，可对薄膜在显微凹陷中的CVD沉积规律进行模拟 随着显微凹陷深度的增加，养分贫化的现象逐渐加剧 要改善薄膜的覆盖能力，可减小化学基团在表面的凝聚系数Sc 提高薄膜表面吸附分子的覆盖比例? ，也可以改善薄膜的覆盖能力 凝聚系数降低 ? 表面覆盖率增加 ? 薄膜表面吸附的分子、原子也会发生扩散 吸附分子、原子的扩散需要克服相应的能垒 Es 单位表面上吸附分子、原子的扩散方程为 薄膜表面活性基团的扩散 其中的扩散系数等于 吸附基团的扩散距离等于 薄膜表面扩散距离与沉积温度的关系 低温时，吸附基团的扩散距离随温度上升而指数地增加 高温时，吸附基团获得能量脱附的几率增加，扩散距离减小 例：温度对CVD薄膜沉积速率影响的讨论 设温度通过反应速率 R 和扩散能力 J 影响薄膜的沉积速率 设薄膜表面形成了化学成分的界面层，其厚度为?；ng和ns为反应物在远离表面处的浓度和其在衬底表面处的浓度 J 应该处处相等 ? 温度对CVD过程中薄膜沉积速率影响的讨论 J 处处相等的条件，决定了薄膜的沉积速率 由扩散至衬底表面的反应物通量 衬底表面消耗的反应物对应的反应物通量正比于ns，即 ? D, k 两者中较小的一个控制着薄膜的沉积速率 温度对CVD过程中薄膜沉积速率影响的讨论 低温时，表面反应速率慢，称表面反应控制的沉积过程 高温时，扩散速率增加不够快，称扩散控制的沉积过程 R ? e -E/kT J ? D ? Tn/p 前者随温度迅速增加，后者增加较慢 -------------- ----------- 例：CVD薄膜沉积速率均匀性的讨论 通过一个模型，讨论气流均匀性对薄膜沉积速率的影响 CVD薄膜实现均匀沉积的条件是： 1. 温度分布的均匀性 2. 气相基团能通过扩散均匀地到达沉积表面 ？ ？ ？ CVD沉积的Si薄膜速率的均匀性 沉积速率的变化趋势为： 提高薄膜沉积均匀性的措施有： 提高气体流速 v 和装置的尺寸b； 调整装置内的温度分布，从而影响扩散系数 D 的分布 ? 组分贫化，沉积速率下降 ? CVD 薄膜制备过程的数值模拟技术 CVD 薄膜的沉积过程由多个复杂环节所控制，相对于 PVD 时更为复杂 既要考虑热力学因素，又要考虑动力学因素，尤其是后者的影响较为复杂 因此，除了可对 CVD 薄膜的沉积过程进行实验研究外，还大量采用数值模拟的方法，对 CVD系统的主要特征进行描述 Si 薄膜的热解 CVD 模型 CVD 薄膜制备过程的数值模拟 例如: 考虑一个热解法沉积 Si 薄膜的 CVD 体系: SiH4(g) ? Si(s)+2H2(g) (650?C) CVD模拟: Si薄膜沉积过程模型的假设 在距温度为1000K的无限大衬底L=的地方，输入组成为0.1%SiH4和99.9%He、温度为300K的混合气体 气流的初始流速设为 uL 沉积室的压力为一个大气压，衬底的转速 ?=1000转/分 假设在薄膜表面上，除SiH4、Si2H6之外，其他活性基团在与衬底碰撞时沉积Si、放出H2的几率为1；SiH4分子在衬底表面的反应几率取为 ，而Si2H6分子的表面反应几率取为SiH4的10倍 在模拟中，综合考虑了气体流动、气相和表面的化学反应、气相