2022年拓荆科技主营业务及护城河分析.docx

2022年拓荆科技主营业务及护城河分析 1. 拓荆科技：国内半导体薄膜沉积设备领军企业 1.1 深耕薄膜沉积十余年，打破垄断成就领军者 国内半导体薄膜沉积设备领域龙头。公司成立于 2010 年，主要从事高端半导体专用设 备的研发、生产、销售与技术服务。公司拥有自主知识产权，且技术指标已达到国际同类 产品先进水平，产品已广泛用于中芯国际、华虹集团、长江存储、长鑫存储、厦门联芯、 燕东微电子等国内主流晶圆厂产线，打破了国际厂商对国内市场的垄断，与国际寡头直接 竞争。公司多次承担国家重大专项，多次获评中国半导体行业协会授予的“中国半导体设 备五强企业”称号。 公司无控股股东和实际控制人，第一大股东为国家集成电路基金。上市前，国家集成 电路基金持有公司 26.48%的股份，其实控人为中国财政部。自然人股东吕光泉、刘忆军、 凌复华、吴飚、周仁、张先智、张孝勇，以及沈阳盛腾、芯鑫和等 11 个公司员工持股平台， 与股东姜谦属于一致行动人，合计持有公司 15.19%的股份。公司于 2020 年分别在北京、 上海、海宁成立了三家子公司。其中，拓荆键科（海宁）主要从事高端半导体新兴工艺设 备研发与生产制造，拓荆北京、拓荆上海尚未开展经营。 1.2 产品市场地位领先，PECVD 贡献主要业绩 公司聚焦薄膜沉积设备，三大系列均已批量供货国内主要集成电路晶圆厂产线。公司 主要产品包括等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备、原子层沉积（ALD）设备和次 常压化学气相沉积（SACVD）设备三大系列薄膜沉积设备。经过十余年的积累沉淀与快速 发展，公司已形成覆盖二十余种工艺型号的薄膜沉积设备，可以满足下游集成电路制造客 户产线对于不同材料、不同芯片结构薄膜沉积工序的设备需求。目前，三大系列产品均已 批量发往国内主要集成电路晶圆厂产线，广泛应用于国内晶圆厂 14nm 及以上制程集成电 路制造产线，累计发货超 150 台，并已展开 10nm 及以下制程产品验证测试。 公司 PECVD 设备贡献主要营收，且毛利率逐年上升。2018-2021 年，PECVD 设备营 收由 0.52 亿元攀升至 6.75 亿元，CAGR 达 135.52%。PECVD 的高增长主要是因为下游需 求增加，以及公司不断创新、积累技术，从而获得多家客户验证、认可。PECVD 设备的毛 利率由 2018 年的 29.25%逐年上升至 2021 年的 42.64%，主要是随着技术水平、市场地 位的提升，公司议价能力有所提高，加之公司产品也开始进入价格更高的先进制程设备市 场。 1.3 业绩实现高增长，盈利状况逐年改善 经营业绩实现高增长，扣非亏损逐年收窄。2018-2021 年，公司营收 CAGR 高达 120.56%，2021 年营收 7.58 亿元，同比增长 73.99%，实现高速增长。主要原因有：1） 外部大环境良好：全球半导体行业处于需求增长的上行周期，下游晶圆厂的需求增加，对 半导体专用设备的需求也随之上升；2）国际设备厂商的垄断被逐渐打破：国内半导体产业 逐步成熟，晶圆制造厂商出于供应链安全与成本控制的考虑，开始选择国产半导体设备；3） 公司前期的积累逐步进入收获期：凭借自身技术优势和创新能力，公司的薄膜沉积设备在 前期通过了多家客户的验证。 2018-2021 年，由于公司研发费用金额较高且占营业收入的比例较大，因此扣除非经 常性损益后尚未实现盈利。2018-2021 年，公司研发费用率分别为 152.84%、29.58%、 28.18%、38.04%，维持高位。与此同时，随着持续不断地投入技术研发，公司产品日益 成熟，客户认可度逐年提高，公司的亏损呈现收窄趋势，盈利能力逐步改善。 2021 年，公司毛利率大幅上升至 44.01%，已高于国内可比公司，并向国际主要竞争 对手看齐。2018-2021 年，由于 PECVD 销售毛利是公司主营业务毛利的主要来源，因此 公司毛利率与 PECVD 毛利率相近，由 31.67%逐年上升至 44.01%。同时随着期间费用率 下降，公司净利率改善明显，2021 年公司净利率为 8.83%，实现由负转正。 2. 拓荆科技技术与客户共筑护城河，募投或延续业绩高增长 2.1 技术优势：布局先进制程产线，不断拓宽产品覆盖面 半导体行业技术更新快要求设备厂商保持技术领先性。以台积电为例，从 1987 年的 3 微米制程到预计 2022 量产的 3 纳米制程，台积电平均 2 年开发一代新制程。而半导体行 业通常是“一代产品、一代工艺、一代设备”，晶圆制造要超前下游应用开发新一代工艺， 而半导体设备要超前晶圆制造开发新一代设备。因此，半导体设备供应商必须每隔 18-24 个月推出更先进的制造工艺。 公司自成立以来就高度重视技术研发，在研发费用与人才方面均