bjt的静态特性学习.pptxVIP

11.1 理想晶体管模型;1. 理想BJT的基本假设;坐标系和材料参数符号说明;2. 各区的少子分布函数;+;扩散方程和边界条件;由pn结定律得耗尽层的边界条件;发射区的扩散方程和边界条件;发射区的少子分布规律和电流;集电区的扩散方程和边界条件;基区的扩散方程和边界条件;基区的少子分布规律;简化关系式;基区少子分布的简化求解方法;基区的少子分布规律;作业题5：基区宽度对基区少子分布的影响;3 流过发射区、集电区和基区的电流;4 特性参数;4 特性参数;作业题6;BJT处于放大工作偏置下各区的少子分布;作业题7pnp;四种偏置模式下少子分布图;npn饱和模式;npn截止模式;Npn反向放大模式;双极型晶体管的Ebers-Moll（E-M）模型;;;11.2 理论和实验的偏差;;共发射极的输入和输出特性曲线;;（1）VCE=0V，即集电极与发射极相接，相当于集电结与发射结两个p-n结并联，所以此时的输入特性应为两个二极管并联后的特性。 （2） VEC0V, 发射结正偏，集电结反偏，三极管处于放大状态，发射区注入的空穴只有极小部分在基区复合，大部分被集电极收集。因此对应于相同的VEB，当VEC0V时，流向基极的电流比VEC=0V时小了，特性曲线右移。 （3） 从理论上讲，VEC继续增大，特性曲线还将继续右移，但当VEC1V,只要VEB一定，则从发射区注入基区的空穴数一定，集电极上的反偏电压已足以将发射区注入基区的空穴全部收集到集电极，因此即使VEC继续增大，IB也不会明显减少，特性曲线几乎与VCE=1V时重叠在一起。所以输入特性曲线一般只用两条来描述。;2.基区宽度调制效应;基区宽度调制效应对BJT特性参数的影响;基区宽度调制效应对共基输入和共发射极输出的影响大;基区宽度调制效应对共基输入特性曲线的影响大;基区宽度调制效应对共发射极输出的影响大;基区宽度调制效应对共基输出和共发射极输入影响小。;晶体管的掺杂和偏置模式对基区宽度调制效应的灵敏度：NENBNC,E-B 结耗尽区主要在B区，VEB很小，对基区宽度调制影响小，C-B结的耗尽层宽度大部分位于C区，使对基区宽度调制的影响减小到最小。但是若在倒置模式下工作，基区宽度调制效应将会很明显。;3.穿通;发射极开路时流过CB结??饱和电流;第44页/共80页;4。 雪崩倍增和击穿;共发射极击穿; 考虑C-B耗尽区内的载流子倍增 ICP=M?TIEP M ?T代替?T，M ?dc代替?dc，根据公式10.15 ; ICBO与ICEO的关系;5. 几何效应;基区扩展电阻和发射极电流集边效应;在晶体管工作时，基极电流在基区中平行于结面流动，基极电流是一股漂移电流，因此，在基极电流流动的方向产生电压降，使发射－基极结面的不同位置处于不同的正向偏压下，在发射极条边缘位置的结偏压最高，中心结偏压最低，因而在整个发射结面的注入是不均匀的，大部分注入电流通过发射极的边缘，这种注入电流向发射结边缘集中的现象称为发射极电流集边效应。　;在功率BJT中，流过BJT的电流较大，电流集边和因此导致的局部过热特别有害，所以在功率BJT中，发射极和基极采用如下图所示的梳状结构;理想BJT看作本征晶体管，串联电阻包括体电阻和接触电阻之和，实际的E-B结和C-B结的电压为：;6。复合-产生电流;7.缓变基区;热平衡时，扩散流=漂移流;8 BJT的品质因素;8 BJT的品质因素;11.3 现代BJT结构;;采用多晶硅发射极的优势： 1 适合制作现代IC所需的浅发射区/基区结 2 它的共发射极电流放大系数大 ;现代IC中，为提高工作速度，采用薄发射区，即WE/LE1，在发射区的复合可忽略，此时发射区少子分布成为位置的线性函数，在放大模式偏置下，从基区注入发射区的电流会有一个显著的增加，从而使发射效率下降，电流增益也减小。;采用多晶硅发射极后，WE1LE1, WE2LE2 ?E1 ?E2,但是在多晶硅和单晶硅的界面处，少子的浓度和少子扩散电流是连续的;2 异质结双结晶体管;第65页/共80页;Al0.3Ga0.7As/GaAs NpnHBT的平衡能带图 ;;第68页/共80页;第69页/共80页;第70页/共80页;第71页/共80页;作业题11.2;作业题11.2;作业题11.7;作业题11.8;作业题11.13;作业题11.15;作业题11.15;作业题11.15;感谢您的观赏！