材料的强化和韧化.pptVIP

关于材料的强化和韧化 第1页，共19页，2022年，5月20日，1点25分，星期五 强韧化意义 提高材料的强度和韧性 节约材料，降低成本，增加材料在使用过程中的可靠性和延长服役寿命 希望材料既有足够的强度，又有较好的韧性，通常的材料二者不可兼得 理解材料强韧化机理，掌握材料强韧化本质 合理运用和发展材料强韧化方法从而挖掘材料性能潜力 注意 第2页，共19页，2022年，5月20日，1点25分，星期五 提高金属材料强度途径 强度是指材料抵抗变形和断裂的能力 材料强度 缺陷数量 冷加工状态 退火状态 无缺陷的理论强度 材料强度与缺陷数量的关系 两种方法 完全消除内部的缺陷，使它的强度接近于理论强度 增加材料内部的缺陷，提高强度 第3页，共19页，2022年，5月20日，1点25分，星期五 增加材料内部的缺陷，提高强度 固溶强化 细晶强化 第二相粒子强化 形变强化 提高金属材料强度途径 即在金属中引入大量的缺陷，以阻碍位错的运动 第4页，共19页，2022年，5月20日，1点25分，星期五 定义 本质 利用点缺陷对位错运动的阻力使金属基体获得强化 强化机理 间隙固溶体 碳、氮等间隙式溶质原子嵌入金属基体的晶格间隙中，使晶格产生不对称畸变造成的强化效应 间隙式原子在基体中与刃位错和螺位错产生弹性交互作用，使金属获得强化。 替代式溶质原子在基体晶格中造成的畸变大都是球面对称的，因而强化效果要比填隙式原子小 固溶强化 第5页，共19页，2022年，5月20日，1点25分，星期五 细晶强化 定义 强化机理 晶界对位错滑移的阻滞效应 当位错运动时，由于晶界两侧晶粒的取向不同，加之这里杂质原子较多，增大了晶界附近的滑移阻力，因而的滑移带不能直接进入一侧晶粒中 晶界上形变要满足协调性 需要多个滑移系统同时动作，这同样导致位错不易穿过晶界，而是塞积在晶界处 —晶粒越细，晶界越多，位错阻滞效应越显著，多晶体的强度就越高 第6页，共19页，2022年，5月20日，1点25分，星期五 细晶强化 定义 强化机理 晶界对位错滑移的阻滞效应 当位错运动时，由于晶界两侧晶粒的取向不同，加之这里杂质原子较多，增大了晶界附近的滑移阻力，因而的滑移带不能直接进入一侧晶粒中 晶界上形变要满足协调性 需要多个滑移系统同时动作，这同样导致位错不易穿过晶界，而是塞积在晶界处 —晶粒越细，晶界越多，位错阻滞效应越显著，多晶体的强度就越高 第7页，共19页，2022年，5月20日，1点25分，星期五 霍耳-配奇(Hall-Petch)关系式 σy ＝ σi＋ky·d-1/2 σi和ky是两个和材料有关的常数，d为晶粒直径 常规的多晶体（晶粒尺寸大于100nm） 纳米微晶体材料(晶粒尺度在1-100nm间) 中， 临界尺寸dc,十几到二十纳米之间 反Hall-Petch效应 在纳米晶粒，晶界核心区原子所占的比例可高达50% 理论模拟的结果显示存在一个临界尺寸dc 第8页，共19页，2022年，5月20日，1点25分，星期五 第二相粒子强化 分类 通过相变（热处理）获得 析出硬化、沉淀强化或时效强化 通过粉末烧结或内氧化获得 弥散强化 强化效果 相粒子的强度、体积分数、间距、粒子的形状和分布等都对强化效果有影响 第二相粒子强化比固溶强化的效果更为显著 第9页，共19页，2022年，5月20日，1点25分，星期五 第二相粒子强化 强化机理 不易形变的粒子 包括弥散强化的粒子以及沉淀强化的大尺寸粒子 位错绕过机制（Orowan，奥罗万机制） 位错线绕过粒子，恢复原态，继续向前滑移 运动位错线在不易形变粒子前受阻、弯曲 外加切应力的增加使位错弯曲，直到在A、B处相遇 位错线方向相反的A、B相遇抵消，留下位错环，位错增殖 第10页，共19页，2022年，5月20日，1点25分，星期五 第二相粒子强化 强化机理 易形变的粒子 包括弥散强化的粒子以及沉淀强化的大尺寸粒子 位错切割机制 位错切过粒子的示意图 Ni-19% Cr-6% Al合金中位错切过Ni3Al粒子的透射电子显微像 第11页，共19页，2022年，5月20日，1点25分，星期五 切过粒子引起强化的机制 短程交互作用 位错切过粒子形成新的表面积，增加了界面能 位错扫过有序结构时会形成错排面或叫做反相畴，产生反相畴界能 粒子与基体的滑移面不重合时，会产生割阶; 粒子的派-纳力τP-N高于基体等，都会引起临界切应力增加 长程交互作用（作用距离大于10b） 由于粒子与基体的点阵不同（至少是点阵常数不同），导致共格界面失配，从而造成应力场 第12页，共19页，2022年，5月20日，1点25分，星期五 第二相粒子强化的最佳粒子半径 综合考虑切过、绕过两种机制，估算出第二相粒子强化