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版图概述;版图概述; 举例：工艺结构;TSMC 0.35umCMOS工艺定义的全部工艺层;Feature size L=0.18um
VDD 1.8V/2.5V
Deep NWELL to reduce substrate noise
MIM capacitor(1fF/um^2)
6 Metal 1 Poly
Polycideresistor(7.5 Ohm/sq)
High N/P implant resistor(59 Ohm/sq, 133 Ohm/sq)
M1-M5 (78 mOhm/sq) Thick-top-metal (18 mOhm/sq)
;设计规则(design rule);两种规则：
(a) 以λ(lamda)为单位的设计规则—相对单位
(b) 以μm（micron)为单位的设计规则—绝对单位
如果一种工艺的特征尺寸为S μm,则λ=S/2 μm，选用λ为单位的设计规则主要与MOS工艺的成比例缩小有关。;1、最小宽度(minWidth)
最小宽度指封闭几何图形的内边之间的距离
; ;设计规则(design rule); TSMC_0.35μm CMOS工艺版图 各层图形之间的最小间距;设计规则; TSMC_0.35μm CMOS工艺版图 各层图形之间最小交叠;设计规则举例; 设计规则举例;tf文件(Technology File)和display.drf文件;Tf display;;DRC（设计规则检查 Design Rule Check）;Layer Processing（层处理命令）;Layer Processing（层处理命令）;;Relational Commands （关系命令）;内切;Sizing Commands（尺寸命令）;Selection Commands（选择命令）;gate = geomAnd(poly diff);Layer Processing（层处理命令）;Layer Processing（层处理命令）;Storage Commands（存储命令）;DRC (Design Rule Check);槽口;DRC (Design Rule Check)的命令;DRC规则文件 ;DRC规则文件;DRC规则文件;DRC规则文件;DRC规则文件;DRC规则文件;DRC规则文件;感谢您的观看！
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